2月6日消息,據(jù)科技透露,三星最新的Exynos2400芯片組采用4LPP+工藝制造,目前生產(chǎn)良率已達(dá)到約60%。盡管這一數(shù)字略低于其主要競爭對手臺積電的N4P工藝(據(jù)傳約為70%),但與三星過去一年多的表現(xiàn)相比,已有顯著提升。
Exynos2400是三星首款運用“扇出晶圓級封裝”(FOWLP)技術(shù)的智能手機芯片組。通過采用FOWLP技術(shù),三星聲稱已將其耐熱性提高了23%,進而使得多核性能提升了8%。正因如此,Exynos2400在最新的3DMark Wild Life極限壓力測試中取得了令人矚目的成績。
據(jù)ITBEAR科技資訊了解,在上個月,有報道稱三星電子的代工廠已經(jīng)開始對其第二代3nm級工藝SF3進行試生產(chǎn)。該公司計劃在未來六個月內(nèi)將良率提升至60%以上。同時,三星正在對采用SF3節(jié)點制造的芯片進行性能和可靠性測試。預(yù)計首個采用三星SF3工藝的芯片將是一款專為可穿戴設(shè)備設(shè)計的應(yīng)用處理器,有可能會在今年晚些時候發(fā)布的GalaxyWatch 7等產(chǎn)品中亮相。
三星此前已公布計劃,在2024年下半年開始大規(guī)模量產(chǎn)SF3芯片。在2023-2024年期間,該公司將以3nm生產(chǎn)為主,即SF3(3GAP)及其改進版本SF3P (3GAP+)。此外,三星還計劃于2025-2026年開始推出其2nm節(jié)點。
根據(jù)三星的介紹,SF3節(jié)點的創(chuàng)新之處在于它可以在同一單元內(nèi)實現(xiàn)不同的環(huán)繞柵(GAA)晶體管納米片通道寬度,從而提供了更高的設(shè)計靈活性。這種靈活性有望為芯片帶來更低的功耗、更高的性能,并通過優(yōu)化設(shè)計實現(xiàn)更高的晶體管密度。
另據(jù)市場研究機構(gòu)TrendForce的數(shù)據(jù)顯示,臺積電在去年第三季度占據(jù)了全球晶圓代工市場57.9%的份額,而三星電子以12.4%的份額位居第二。兩家公司之間的市場份額差距超過40個百分點,顯示出臺積電在全球晶圓代工市場的領(lǐng)先地位。
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