ictimes消息,近日,基本半導(dǎo)體公司重磅推出了一款專為新能源汽車主驅(qū)逆變器應(yīng)用設(shè)計(jì)的汽車級DCM碳化硅(SiC)MOSFET模塊Pcore?2。這一創(chuàng)新產(chǎn)品型號包含BMF800R12FC4、BMF600R12FC4、BMF950R08FC4、BMF700R08FC4,以其高功率密度和卓越的性能,為新能源汽車產(chǎn)業(yè)帶來全新的升級體驗(yàn)。
Pcore?2模塊是業(yè)內(nèi)主流DCM封裝模塊,采用先進(jìn)的壓型銀燒結(jié)工藝和高性能粗銅線鍵合技術(shù)。其氮化硅AMB陶瓷基板及直接水冷的PinFin結(jié)構(gòu),使得產(chǎn)品具備低動(dòng)態(tài)損耗、低導(dǎo)通電阻、高阻斷電壓、高電流密度、高可靠性等特點(diǎn)。更值得一提的是,Pcore?2可支持連續(xù)運(yùn)行峰值結(jié)溫至175℃,同時(shí)具備650Arms以上連續(xù)峰值相電流輸出,為新能源汽車提供了更強(qiáng)勁、更穩(wěn)定的動(dòng)力輸出。
基本半導(dǎo)體一直致力于碳化硅功率器件的研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化。從材料制備、芯片設(shè)計(jì)、晶圓制造、封裝測試到驅(qū)動(dòng)應(yīng)用,基本半導(dǎo)體已覆蓋了碳化硅功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈的關(guān)鍵環(huán)節(jié)。核心產(chǎn)品包括碳化硅二極管和MOSFET芯片、汽車級碳化硅功率模塊、功率器件驅(qū)動(dòng)芯片等。此次發(fā)布的Pcore?2模塊,無疑是對基本半導(dǎo)體技術(shù)實(shí)力的一次全新展示。
隨著新能源汽車、軌道交通、光伏發(fā)電及儲(chǔ)能、高壓電網(wǎng)等領(lǐng)域的快速發(fā)展,碳化硅MOSFET作為一種新型功率器件,正逐漸展現(xiàn)出其獨(dú)特的優(yōu)勢。相較于傳統(tǒng)的硅基功率器件,碳化硅MOSFET具有更高的熱穩(wěn)定性,可以在高溫、高壓環(huán)境下正常工作;更低的導(dǎo)通電阻和更小的導(dǎo)通損耗;以及更高的集成度,相同功率的器件尺寸更小、重量更輕。
不過,雖然碳化硅MOSFET具有諸多優(yōu)勢,但在某些方面仍有不足。比如制造成本較高,可靠性有待提高。材料、制造工藝等還存在一些待解決的問題,如材料的缺陷、器件的壽命等。隨著技術(shù)和工藝的不斷升級,這些問題將逐漸得到解決。
碳化硅MOSFET的應(yīng)用范圍也將不斷擴(kuò)大,更多的優(yōu)質(zhì)產(chǎn)品將會(huì)問世。基本半導(dǎo)體此次推出的Pcore?2模塊,這款專為新能源汽車主驅(qū)逆變器應(yīng)用設(shè)計(jì)的模塊,以其高功率密度和卓越的性能,為新能源汽車產(chǎn)業(yè)帶來了全新的升級體驗(yàn)。
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