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消息稱 LG 電子啟動混合鍵合設備開發(fā),追逐未來 HBM 內存制造關鍵技術

來源: 責編: 時間:2025-07-14 10:39:09 51觀看
導讀 7 月 13 日消息,韓媒 SEDaily 今日報道稱,LG 電子下屬的生產技術研究所 (PTI) 已啟動混合鍵合設備開發(fā),目標在 2028 年實現(xiàn)大規(guī)模量產?;旌湘I合未來將毫無疑問地成為 16+ 層堆疊 HBM 內存堆棧構建的關鍵技術,其

7 月 13 日消息,韓媒 SEDaily 今日報道稱,LG 電子下屬的生產技術研究所 (PTI) 已啟動混合鍵合設備開發(fā),目標在 2028 年實現(xiàn)大規(guī)模量產。n4N28資訊網——每日最新資訊28at.com

混合鍵合未來將毫無疑問地成為 16+ 層堆疊 HBM 內存堆棧構建的關鍵技術,其采用無凸塊的銅-銅鍵合,縮小各層 DRAM Die 間距,能在有限的高度內實現(xiàn)更高層數堆疊,且具備更低發(fā)熱。n4N28資訊網——每日最新資訊28at.com

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目前在 HBM 內存混合鍵合機臺開發(fā)方面,Besi 和應用材料處于領先地位,而韓國兩大內存企業(yè) SK 海力士和三星電子有實現(xiàn)關鍵設備供應本地化的需求,LG 電子有望在這部分市場分得一杯羹。n4N28資訊網——每日最新資訊28at.com

另一方面,LG 電子已定下強化 AI 與 B2B 業(yè)務的愿景,混合鍵合設備同時符合這兩大目標。n4N28資訊網——每日最新資訊28at.com

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