Mate60手機殼曝光 致敬自己的經典設計
8月3日消息，今天下午博主數碼閑聊站帶來了華為Mate60的第三方手機殼圖，可以讓我們在真機發布之前看看這款華為全新旗艦的大致輪廓。從曝光的圖片看，Mate 60背后攝像頭面積依然
近日，浙江省發改委公布了51家單位被認定為浙江省工程研究中心。其中，矽力杰在浙大科創中心的牽頭下，聯合紹興中芯集成電路制造股份有限公司、浙江富特科技股份有限公司和麥田能源股份有限公司共同建立了寬禁帶功率器件與應用浙江省工程研究中心，并成功獲得批準。
該中心將圍繞寬禁帶功率半導體的器件與電源管理技術，構建一個貫通“器件-封裝測試-電源變換裝備”的完善技術鏈及產業應用體系。重點研究方向包括突破一維電阻極限的碳化硅（SiC）單極型器件技術、寬禁帶器件先進封裝測試技術的高效率高密度電源變換技術和產業化。
寬禁帶半導體是指禁帶寬度大于2.2eV的半導體材料，而當前主流的半導體材料硅的禁帶寬度大約是1.12eV。碳化硅和氮化鎵是寬禁帶半導體的代表，由于其禁帶寬度大、電子遷移率高，因此被廣泛應用于移動通信、汽車電子、光伏儲能以及光電領域。隨著終端電力電子產品的迭代升級，傳統硅基元件已無法滿足高功率、高壓場景的需求，碳化硅、氮化鎵器件的市場需求持續增長。
TrendForce預計到2026年，全球碳化硅功率市場規模將達到53.3億美元，年復合增長率達35%；而全球氮化鎵功率市場規模也將達到13.3億美元，年復合增長率達65%。
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