一加Ace2 Pro真機揭曉 鈦空灰配色質(zhì)感拉滿
終于，在經(jīng)過了幾波預熱之后，一加Ace2 Pro的外觀真機圖在網(wǎng)上出現(xiàn)了。還是博主數(shù)碼閑聊站曝光的，這次的外觀設計還是延續(xù)了一加11的方案，只是細節(jié)上有了調(diào)整，例如新加入了鈦空灰
近日，浙江省發(fā)改委公布了51家單位被認定為浙江省工程研究中心。其中，矽力杰在浙大科創(chuàng)中心的牽頭下，聯(lián)合紹興中芯集成電路制造股份有限公司、浙江富特科技股份有限公司和麥田能源股份有限公司共同建立了寬禁帶功率器件與應用浙江省工程研究中心，并成功獲得批準。
該中心將圍繞寬禁帶功率半導體的器件與電源管理技術(shù)，構(gòu)建一個貫通“器件-封裝測試-電源變換裝備”的完善技術(shù)鏈及產(chǎn)業(yè)應用體系。重點研究方向包括突破一維電阻極限的碳化硅（SiC）單極型器件技術(shù)、寬禁帶器件先進封裝測試技術(shù)的高效率高密度電源變換技術(shù)和產(chǎn)業(yè)化。
寬禁帶半導體是指禁帶寬度大于2.2eV的半導體材料，而當前主流的半導體材料硅的禁帶寬度大約是1.12eV。碳化硅和氮化鎵是寬禁帶半導體的代表，由于其禁帶寬度大、電子遷移率高，因此被廣泛應用于移動通信、汽車電子、光伏儲能以及光電領(lǐng)域。隨著終端電力電子產(chǎn)品的迭代升級，傳統(tǒng)硅基元件已無法滿足高功率、高壓場景的需求，碳化硅、氮化鎵器件的市場需求持續(xù)增長。
TrendForce預計到2026年，全球碳化硅功率市場規(guī)模將達到53.3億美元，年復合增長率達35%；而全球氮化鎵功率市場規(guī)模也將達到13.3億美元，年復合增長率達65%。
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