據(jù)臺(tái)積電17日法說(shuō)會(huì)消息，2025年其美元營(yíng)收預(yù)計(jì)增長(zhǎng)接近25%，未受近期關(guān)稅與AI禁令風(fēng)暴影響。臺(tái)積電預(yù)測(cè)，晶圓制造2.0產(chǎn)業(yè)將受益于強(qiáng)勁的AI相關(guān)需求及其他終端市場(chǎng)的溫和復(fù)蘇，預(yù)計(jì)2025年成長(zhǎng)10%。
臺(tái)積電表示，AI加速器對(duì)其營(yíng)收貢獻(xiàn)將在2025年翻倍，CoWoS產(chǎn)能也將加倍以滿(mǎn)足客戶(hù)需求。臺(tái)積電采用嚴(yán)謹(jǐn)?shù)漠a(chǎn)能規(guī)劃系統(tǒng)，與客戶(hù)及其客戶(hù)密切合作規(guī)劃產(chǎn)能，并預(yù)測(cè)AI加速器的營(yíng)收年復(fù)合增長(zhǎng)率在未來(lái)5年內(nèi)將接近中段40位數(shù)百分比。
海外擴(kuò)產(chǎn)方面，臺(tái)積電宣布增加1,000億美元投資于美國(guó)先進(jìn)半導(dǎo)體制造，計(jì)劃在亞利桑那州興建3座新晶圓廠(chǎng)、2座先進(jìn)封裝廠(chǎng)及1間研發(fā)中心，總投資金額預(yù)計(jì)達(dá)1,650億美元。第一座晶圓廠(chǎng)已采用N4制程技術(shù)成功量產(chǎn)，第二座晶圓廠(chǎng)將采用3納米制程技術(shù)，第三座晶圓廠(chǎng)計(jì)劃于2025年稍晚開(kāi)始建設(shè)。此外，臺(tái)積電計(jì)劃在亞利桑那州建設(shè)新的先進(jìn)封裝設(shè)施及研發(fā)中心，完善AI供應(yīng)鏈。
在其他地區(qū)，臺(tái)積電在日本熊本的第一座特殊制程技術(shù)晶圓廠(chǎng)已開(kāi)始量產(chǎn)，月產(chǎn)能達(dá)5.5萬(wàn)片；第二座晶圓廠(chǎng)計(jì)劃于2025年稍晚展開(kāi)建設(shè)。在歐洲，臺(tái)積電正按計(jì)劃在德國(guó)德勒斯登興建一座特殊制程技術(shù)晶圓廠(chǎng)。在中國(guó)臺(tái)灣，臺(tái)積電計(jì)劃在未來(lái)數(shù)年興建11座晶圓廠(chǎng)和4座先進(jìn)封裝廠(chǎng)，N2制程技術(shù)預(yù)計(jì)于2025年下半年開(kāi)始量產(chǎn)。
臺(tái)積電預(yù)計(jì)，海外晶圓廠(chǎng)將在2025年對(duì)毛利率產(chǎn)生2~3%的稀釋影響，未來(lái)五年初期影響約為每年2~3%，后期擴(kuò)大為3~4%。盡管如此，臺(tái)積電仍認(rèn)為長(zhǎng)期毛利率達(dá)53%以上是可實(shí)現(xiàn)的。2025年的資本支出預(yù)計(jì)介于380億~420億美元，其中約70%用于先進(jìn)制程技術(shù)，10~20%用于特殊制程技術(shù)，其余用于先進(jìn)封裝等項(xiàng)目。
N2制程技術(shù)預(yù)計(jì)于2025年下半年進(jìn)入量產(chǎn)，相較于N3E，在相同功耗下速度增加10~15%，功耗降低25~30%，芯片密度增加大于15%。A16制程技術(shù)計(jì)劃于2026年下半年量產(chǎn)，相較于N2P，在相同功耗下速度增快8~10%，功耗降低15~20%，芯片密度提升7~10%。

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