9月5日消息,日本東北大學的科研人員最近成功開發出一種具有潛力的材料,或將為相變存儲器領域帶來新的突破。他們利用濺射技術,成功制備了碲化鈮(NbTe4)材料,據稱該材料在存儲和熱性能方面表現出色,或可應用于相變存儲器的制造,為該領域提供更多的原材料選擇,同時降低相關制造成本。
相變存儲器(Phase ChangeMemory,PCM)作為一種新型存儲技術,一直受到關注。相對于傳統的閃存存儲器,PCM利用相變材料的固態和液態相變特性來實現數據的存儲和讀取,具備讀寫速度更快、存儲密度更高、功耗更低以及尺寸更小的優勢。然而,由于制造相變存儲器介質的成本較高,目前該技術主要局限于企業級應用,尚未在家庭市場得到廣泛應用。
據了解,研究人員采用了濺射技術,將碲化鈮(NbTe4)材料成功地制備出來。濺射技術是一種常用的材料薄膜制備技術,它能夠將材料薄膜沉積到基底上,實現對膜厚和成分的精確控制。研究人員在高于272℃的溫度下進行退火,使得碲化鈮(NbTe4)結晶,這種材料具有超低的熔點約為447℃,因此在物理上相對穩定,適合用于制造相變存儲器。
經過對該材料晶體的評估,研究人員發現,與傳統的相變存儲器材料相比,碲化鈮(NbTe4)晶體具有更高的熱穩定性,并且其從結晶態到液態的相變速度約為30納秒,顯示出作為相變存儲器原材料的潛力。東北大學材料科學高等研究所助理教授Shuang表示:“碲化鈮(NbTe4)具備低熔點、高結晶溫度和優異的相變性能,為高性能相變存儲器的開發提供了新的可能性,這或許是解決相變存儲器成本挑戰的理想材料之一?!?span style="display:none">6cG28資訊網——每日最新資訊28at.com
通過這項研究,科學家們為相變存儲器技術的進一步發展開辟了新的途徑。碲化鈮(NbTe4)作為一種具備卓越性能和潛力的材料,有望在未來為存儲領域帶來更多的創新,推動存儲器技術的不斷演進。雖然相變存儲器技術目前仍然處于企業級階段,但隨著研究的不斷深入,相信它有望逐漸走向家庭市場,為普通消費者帶來更快、更高密度的存儲解決方案。
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