【ITBEAR】9月27日消息,SK海力士宣布已成功實現(xiàn)全球首次的12層堆疊HBM3E芯片量產(chǎn),此舉刷新了HBM產(chǎn)品的最大容量紀錄,高達36GB的存儲容量令人矚目。相較于傳統(tǒng)的8層產(chǎn)品,新款12層芯片在保持相同物理厚度的同時,存儲容量提升了驚人的50%。
這一技術(shù)飛躍的背后,是SK海力士在DRAM芯片制造工藝方面的重大突破。公司不僅將芯片厚度減少了40%,更運用了先進的硅通孔(TSV)技術(shù),使得芯片能夠垂直堆疊,從而大幅提升了存儲容量。
在堆疊更多層數(shù)的同時,SK海力士也面臨著結(jié)構(gòu)性挑戰(zhàn)。然而,憑借其核心的先進MR-MUF工藝,公司成功提升了產(chǎn)品的散熱性能,增幅達10%,并有效控制了芯片翹曲問題,從而確保了新款HBM3E芯片的穩(wěn)定性和可靠性。
新款12層HBM3E芯片在性能上達到了業(yè)界頂尖水平。其運行速度可高達9.6Gbps,這使得它非常適合運行大型語言模型,例如Llama 3 70B。在實際應(yīng)用中,該芯片每秒可讀取35次700億個參數(shù),展現(xiàn)出強大的數(shù)據(jù)處理能力。
自2013年推出第一代HBM產(chǎn)品以來,SK海力士一直保持著在該領(lǐng)域的領(lǐng)先地位。如今,隨著12層HBM3E芯片的量產(chǎn),公司不僅滿足了人工智能企業(yè)對高性能存儲器的迫切需求,更進一步鞏固了其在AI存儲器市場的領(lǐng)導(dǎo)地位。
市場對SK海力士的這一重大技術(shù)突破反應(yīng)熱烈。近期,公司在韓國市場的股價上漲超過8%,市值更是達到了120.34萬億韓元,充分顯示出投資者對公司未來發(fā)展前景的樂觀預(yù)期。
總的來說,SK海力士通過不斷創(chuàng)新和技術(shù)突破,再次引領(lǐng)了HBM產(chǎn)品的發(fā)展潮流,為人工智能等領(lǐng)域的發(fā)展提供了強有力的支持。
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