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三星電子大躍進:2024推1cnm制程DDR,2026直逼1dnm工藝!

來源: 責編: 時間:2024-09-06 11:35:48 76觀看
導讀【ITBEAR】9月6日消息,三星電子正致力于研發新一代DDR內存技術,該技術預計在2024年面世,將采用先進的1cnm制程工藝。據悉,這一技術突破將支持高達32Gb的顆粒容量,為內存市場帶來前所未有的存儲能力。據ITBEAR了解,三星電子

【ITBEAR】9月6日消息,三星電子正致力于研發新一代DDR內存技術,該技術預計在2024年面世,將采用先進的1cnm制程工藝。據悉,這一技術突破將支持高達32Gb的顆粒容量,為內存市場帶來前所未有的存儲能力。twv28資訊網——每日最新資訊28at.com

三星電子研發新一代DDR內存技術twv28資訊網——每日最新資訊28at.com

據ITBEAR了解,三星電子在內存技術方面一直處于行業前沿。此次推出的1cnm制程DDR內存,不僅代表了該公司在半導體制造領域的最新成果,更是對整個內存行業的一次重要革新。隨著云計算、大數據和人工智能等技術的飛速發展,對內存容量的需求也日益增長,三星的這一新產品無疑將滿足市場的迫切需求。twv28資訊網——每日最新資訊28at.com

展望未來,三星電子已制定了明確的技術路線圖。到2026年,該公司計劃發布其最后一代10nm級工藝的1dnm內存。這款內存產品同樣將提供32Gb的最大容量,進一步鞏固三星在內存市場的領先地位。通過不斷的技術創新和產品升級,三星電子正努力推動全球內存行業的發展,為未來的數字化世界構建更強大的存儲基石。twv28資訊網——每日最新資訊28at.com

三星電子內存技術路線圖twv28資訊網——每日最新資訊28at.com

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