聚焦虛擬數字人技術，這三大商機要抓住！
關于虛擬數字人，企業可以從三個方面入局，分別是ToG（To Government，面向政府），即為數字政府和數字城市提供支持服務；ToB（To Business，面向企業），即為企業提供虛擬員工解決方案；ToC（To Cons
近日，美國知名功率器件制造商納微半導體（Navitas Semiconductor）宣布了一項重大合作，與圖形處理器巨頭英偉達攜手，共同推進下一代800V高壓直流供電（HVDC）架構的發展。此次合作旨在滿足日益增長的人工智能計算需求，特別是在數據中心領域。
據了解，現有的數據中心架構大多采用傳統的54V機架內配電方式，其功率限制在幾百千瓦（kW）范圍內。這種架構在傳輸電力時需要使用笨重的銅母線，且當功率超過200kW時，會面臨功率密度、銅纜需求增加以及系統效率降低等多重挑戰。然而，現代人工智能數據中心所需的電力已高達數吉瓦（GW）級別，傳統架構顯然已無法滿足這一需求。
英偉達推出的800V HVDC架構，旨在通過高效、可擴展的電力輸送方式，為下一代AI工作負載提供有力支持。該架構采用固態變壓器（SST）和工業級整流器，在數據中心邊界直接將13.8kV交流電網電源轉換為800V高壓直流電，從而大大簡化了電力轉換過程，提高了效率和可靠性。由于800V HVDC電壓等級更高，I2R損耗更低，因此銅線的厚度也可以大幅減少。
據英偉達預測，向800V HVDC架構的轉變將帶來顯著的效益。數據中心的電力效率可提高5%，銅線使用量減少45%，維護成本更是可以降低高達70%。對于管理著數千個機架的超大規模運營商而言，這些改進意味著數百萬美元的運營成本節省。這無疑為數據中心的未來發展指明了方向。
作為此次合作的另一方，納微半導體在AI數據中心解決方案領域擁有領先地位。其高功率GaNSafe?功率IC集成了控制、驅動、傳感和關鍵保護功能，實現了前所未有的可靠性和穩健性。GaNSafe被譽為全球最安全的GaN產品，具有短路保護功能、所有引腳均提供2kV ESD保護等多項優勢。納微半導體還提供一系列針對次級側DC-DC轉換優化的中壓（80-120V）GaN器件，為AI數據中心電源提供了高速、高效率和小尺寸的解決方案。
納微半導體旗下的GeneSiC品牌也在此次合作中發揮了重要作用。憑借20年的SiC創新領導力，GeneSiC的專有技術提供了世界領先的溫度性能，為高功率、高可靠性應用提供了高速、低溫運行的保障。其G3F SiC MOSFET兼具高效率和高速性能，外殼溫度可降低高達25°C，使用壽命更是比其他供應商的SiC產品延長高達3倍。
作為英偉達800V HVDC供應商聯盟的一員，納微半導體的GaNFast和GeneSiC技術為800V HVDC系統的高頻開關和熱效率提供了有力支持。這些技術優勢是傳統硅功率器件所無法比擬的，也為納微半導體在AI數據中心領域的發展奠定了堅實基礎。
此次合作不僅標志著納微半導體在AI數據中心領域的進一步拓展，也預示著數據中心電力架構的深刻變革。隨著人工智能技術的不斷發展，數據中心對電力的需求將持續增長。而800V HVDC架構的推廣和應用，將為實現更高效、更可靠的電力輸送提供有力保障。
受英偉達大單消息的影響，納微半導體的股價在美股市場出現了暴漲。22日，其股價收盤大漲164%，收于5.05美元/股，市值達到9.69億美元。這是該公司史上最大單日漲幅，盡管與歷史高點相比仍有一定差距，但無疑為納微半導體的未來發展注入了強勁動力。
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