據(jù)韓媒報道,三星、SK海力士為了掌握快速成長的HBM市場,將大幅革新新一代產(chǎn)品制程技術,預計2026年量產(chǎn)新一代HBM產(chǎn)品,HBM4。
從2013年第一代HBM到即將推出的第五代HBM3E,I/O接口數(shù)為每顆芯片1,024個,擁有超過2,000個以上I/O接口的HBM尚未問世。
不過,隨著I/O接口數(shù)增加,制程難度也將拉高。據(jù)悉,兩家業(yè)者對自身接近100%的HBM良率皆充滿自信,目標通過革新技術鞏固市場主導地位。
市調(diào)機構預測2023年HBM市場年成長率約為50%,近期直接上調(diào)至100%以上,且預測2024年成長率也將超過100%。
得益于先占HBM事業(yè),據(jù)CFM閃存市場數(shù)據(jù),得益于先占HBM事業(yè),SK海力士2023年第2季DRAM市占率季增7.9個百分點,達32.2%;三星則季減4.6個百分點,從42.7%下降到38.1%,兩者差距也從18.4%縮小到5.9%。
不過,三星將開始向大客戶AMD和NVIDIA供應HBM3,更傳NVIDIA韓國分公司開始招聘生產(chǎn)管理職,并明示職務相關合作企業(yè)為三星。業(yè)界預期三星將于2023年第3季末結束NVIDIA的HBM3驗證流程,并自第4季正式供應產(chǎn)品。
在HBM市場的快速成長下,三星、SK海力士準備將2024年HBM產(chǎn)能提高至2倍以上,預計兩家業(yè)者的HBM競爭也將更加激烈。
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