據Tom's Hardware報道，美國存儲器公司Neo Semiconductor（簡稱Neo）近期發布了兩款全新的3D X-DRAM設計，分別為“1T1C”和“3T0C”。這兩款設計預計在2026年推出概念驗證測試芯片，或將對傳統DRAM市場帶來重大沖擊。
Neo的新型3D X-DRAM單模塊容量可達512Gb，是傳統DRAM模塊容量的10倍。同時，該設計還具備高速、低功耗等優勢。測試數據顯示，新設計的讀寫速度達到10納秒，數據保留時間超過9分鐘，這些指標均領先于當前主流DRAM技術。
這兩款設計采用了氧化銦鎵鋅（IGZO）材料以及3D NAND堆疊架構。通過結合這些技術，新款存儲器在提升容量和性能的同時，還能保持較低的能耗。此外，由于新設計基于現有的3D NAND生產流程改良，Neo希望現有的3D NAND生產線能夠快速升級，以適應新產品的生產需求。
與Neo此前推出的3D X-AItech等更具針對性的技術相比，1T1C設計被認為更有可能成為傳統DRAM的有力競爭者。Neo計劃在即將于2025年5月18日舉行的IEEE IMW會議上，進一步披露這兩款設計的技術細節。

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