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據傳，三星電子已在華城園區引進了首臺High NA EUV設備，這是實現2納米制程的關鍵設備。
該設備由ASML生產，價值約5000億韓元（約3.5億美元），全球僅ASML能供應。High NA EUV通過提升EUV技術，增強光線聚焦能力，對2納米以下制程至關重要。
三星自2024年起開始評估High NA EUV的制程應用，計劃用于次時代半導體生產。
全球半導體企業正加速引進此設備，如英特爾已簽訂6臺采購合約，臺積電也近期引進。業界認為，三星此舉意在2納米市場發起反攻，與臺積電的競爭將更加激烈。
三星晶圓代工事業部負責人表示，盡管三星率先完成3納米GAA制程轉換，但商用化仍有不足，加速擴產2納米制程是當前首要課題。
據傳，三星計劃完成設備安裝后，全力推動相關生態系建設，內部也在積極調整戰略方向。
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