據(jù)韓國媒體ZDNet Korea報道稱，三星近日與長江存儲簽署了3D NAND“混合鍵合”（Hybrid Bonding）技術(shù)的專利許可協(xié)議，從第10代V-NAND（V10）開始，將使用長江存儲的專利技術(shù)進(jìn)行制造。三星第10代V-NAND（V10）將引入多項新技術(shù)，其中最重要的就是晶圓對晶圓（wafer-to-wafer）形式的混合鍵合。簡單來說，混合鍵合的優(yōu)勢包含提高效能、提升散熱特性等，有利于提高生產(chǎn)力。報道稱，三星之所以選擇向長江存儲獲取“混合鍵合”專利授權(quán)，主要是早在四年前，長江存儲已建立完善的混合鍵合專利體系，與Xperi、臺積電共同占據(jù)該領(lǐng)域的主導(dǎo)地位，三星難以繞開相關(guān)專利。三星在開發(fā)第10代V-NAND（V10）時面臨堆疊層數(shù)超過400層后的可靠性問題。而長江存儲的混合鍵合技術(shù)（Xtacking）通過晶圓直接貼合（W2W），縮短電氣路徑并提升散熱能力，成為解決這一難題的關(guān)鍵。 在傳統(tǒng)3D NAND架構(gòu)中，外圍電路約占芯片面積的20~30%。而隨著3D NAND技術(shù)堆疊到128層甚至更高，外圍電路所占據(jù)的芯片面積或?qū)⑦_(dá)到50%以上，同時，這種方法最多可容納300多層的NAND。因此，對于3D NAND廠商來說，要想發(fā)展400層以上的NAND堆疊，混合鍵合技術(shù)已經(jīng)成為了一項核心技術(shù)。長江存儲的混合鍵合技術(shù)，將推動高堆疊層數(shù)的3D NAND制造轉(zhuǎn)向CBA（CMOS鍵合陣列）架構(gòu)。目前，長江存儲自研的混合鍵合技術(shù)已進(jìn)展到4.x版本，且成功量產(chǎn)了160層、192層、232層產(chǎn)品。最新研究報告顯示，長江存儲今年早些時候還成功實(shí)現(xiàn)了2yy（預(yù)估270層）3D TLC（三級單元）NAND 商業(yè)化。TechInsights表示：“長江存儲的2yy 3D NAND是我們在市場上發(fā)現(xiàn)的密度最高的NAND”，“最重要的是，它是業(yè)內(nèi)第一個實(shí)現(xiàn)超過20Gb/mm2位密度的3D NAND”。隨著NAND技術(shù)向更高層數(shù)（如V10、V11、V12）演進(jìn)，三星需持續(xù)依賴長江存儲的專利支持，韓媒預(yù)期，SK海力士也可能會跟進(jìn)合作。2024年2月，SK海力士副社長金春煥在“SEMICON Korea 2024”主題演講中透露，SK海力士正在開發(fā)下一代平臺，將通過混合鍵合技術(shù)提高400層等級NAND產(chǎn)品的經(jīng)濟(jì)性、量產(chǎn)性。0JA28資訊網(wǎng)——每日最新資訊28at.com
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