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印度信息技術(shù)部長(zhǎng)阿什維尼·瓦伊什納近日透露，首款“印度制造”芯片有望于今年9月或10月亮相，同時(shí)，印度也在加緊研發(fā)氮化鎵芯片。
印度政府已向位于班加羅爾的科學(xué)研究所（IISc）撥款33.4億盧比（約合2.8億人民幣），用于氮化鎵技術(shù)的研發(fā)，主要應(yīng)用于電信和電力領(lǐng)域。IISc的一組跨學(xué)科教員已成功研發(fā)出印度首個(gè)電子模式氮化鎵功率晶體管，其性能達(dá)到高標(biāo)準(zhǔn)，為氮化鎵技術(shù)的產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用奠定了堅(jiān)實(shí)基礎(chǔ)。
今年1月，印度首個(gè)碳化硅半導(dǎo)體工廠在奧里薩邦正式奠基，預(yù)計(jì)三年內(nèi)完成建設(shè)。該工廠將專(zhuān)注于生產(chǎn)碳化硅等產(chǎn)品，以滿足電力電子、可再生能源系統(tǒng)以及電動(dòng)汽車(chē)的需求。該項(xiàng)目由RIR Power Electronics Limited公司打造，總投資額達(dá)62億盧比（約合25億元人民幣）。
此外，印度國(guó)防研究與發(fā)展組織（DRDO）下屬的固體物理實(shí)驗(yàn)室也在第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域取得了重要突破。該實(shí)驗(yàn)室成功開(kāi)發(fā)出一種本土工藝，可以生長(zhǎng)和制造直徑為4英寸的碳化硅晶片。此外，他們還制造出功率高達(dá)150W的氮化鎵HEMT以及功率為40W的單片微波集成電路（MMIC），這些器件能夠在最高X波段頻率的應(yīng)用中發(fā)揮重要作用。
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