12月10日上午,科友半導體成功通過了“8英寸碳化硅(SiC)襯底材料裝備開發及產業化工藝研究”項目的階段驗收評審。專家組一致認為,科友半導體在2023年度圓滿完成了項目任務,取得了8英寸SiC單晶生長的創新技術,建立了SiC襯底生產的高效工藝流程,并發布了相關作業指導書。
該項目的目標是推動8英寸SiC裝備本土化和SiC襯底產業化,實現高性能、低缺陷的8英寸SiC長晶裝備,形成自主知識產權。科友半導體自2018年成立以來一直專注于半導體裝備研發、襯底制造等領域,致力于構建SiC的全產業鏈閉環。
近年來,科友半導體在8英寸SiC襯底材料領域取得了顯著進展。通過自主設計的電阻長晶爐,他們成功生長出直徑超過8英寸的SiC單晶,表面光滑無缺陷,最大直徑超過204mm。這次突破是科友半導體在SiC晶體生長尺寸和襯底尺寸上的又一次里程碑。
同時,科友半導體還在產能建設方面取得了積極進展。他們的第三代半導體產學研聚集區一期工程已投入生產,年產10萬片6英寸SiC襯底,而二期工程也已開工。未來兩年,科友半導體計劃實現年產20萬片-30萬片SiC襯底的產能。
總體來說,科友半導體在8英寸SiC襯底材料領域的研究和產業化工作表現出色,為中國半導體產業的發展貢獻了重要力量。他們的成就不僅推動了本土化制程技術的發展,也為我國在第三代半導體領域的全面競爭提供了強大支持。
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