長鑫存儲(CXMT),一家專注于DRAM芯片制造的公司,于第69屆IEEE國際電子元件年會(IEDM)上披露了其在3納米級芯片上的環(huán)繞式閘極結(jié)構(gòu)(GAA)技術(shù)。盡管尚未提供樣品產(chǎn)品,但該公司在下一代內(nèi)存芯片生產(chǎn)方面的進(jìn)展引起了業(yè)內(nèi)的廣泛關(guān)注。
長鑫存儲的這一技術(shù)突破被認(rèn)為是在受到美國出口限制的技術(shù)領(lǐng)域取得的重要成就。分析師指出,這對于中國來說是一次打破美國制裁的進(jìn)展,特別是在電子設(shè)計(jì)自動化(EDA)軟件受到限制的情況下,這表明中國在先進(jìn)3納米制程設(shè)計(jì)和制造方面展現(xiàn)了韌性。
該公司強(qiáng)調(diào),論文中描述的技術(shù)進(jìn)展仍處于基礎(chǔ)研究階段,與其當(dāng)前的生產(chǎn)工藝無關(guān)。然而,這一進(jìn)展為中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)帶來了新的希望,特別是在與先進(jìn)技術(shù)相關(guān)的領(lǐng)域。
GAA技術(shù)的應(yīng)用被認(rèn)為對下一代邏輯芯片的開發(fā)至關(guān)重要,因?yàn)樗梢詫?shí)現(xiàn)晶體管的持續(xù)微縮,從而在集成電路上封裝更多的晶體管。雖然目前全球代工廠如臺積電和三星在這方面領(lǐng)先,但中國的長鑫存儲正在迎頭趕上。
在當(dāng)前全球技術(shù)競爭激烈的背景下,中國企業(yè)的突破顯示出其在科技創(chuàng)新和自主研發(fā)方面的雄心。長鑫存儲的成功不僅對中國半導(dǎo)體行業(yè)具有重要意義,也在全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中引起了關(guān)注,為中國在技術(shù)創(chuàng)新方面走向自給自足鋪平了道路。
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