一加首款折疊屏！一加Open渲染圖出爐：罕見單手可握小尺寸
8月5日消息，此前就有爆料稱，一加首款折疊屏手機將會在第三季度上市，如今隨著時間臨近，新機的各種消息也開始浮出水面。據悉，這款新機將會被命名為“On
在最近召開的IEDM大會上，英特爾帶來了一項令人矚目的技術突破。該公司表示，已成功將CMOS硅晶體管與氮化鎵(GaN)功率晶體管集成，這在高度集成的48V設備中具有革命性的意義。
這一突破性的技術是由Cambridge GaN Devices、EPC和Navitas以及英飛凌領導的歐洲重大研究項目共同開發的。英特爾的Components Research芯片中尺度工藝開發總監Paul Fisher表示：“英特爾是唯一一家專注于48V及以下電壓下GaN效率利用的公司。”
此次英特爾的突破性技術將硅和氮化鎵相結合，提供了一流性能和效率，同時允許將多種功能集成在單個芯片上。這對于當今的晶體管技術來說是一個巨大的進步，因為當今的晶體管技術都無法滿足與電力傳輸和射頻前端設計相關的多樣化需求。由于這個問題，電路設計人員正在組合許多不同的、獨立的芯片，這會導致封裝體積龐大。
這項新技術顯著擴展了高效、微型片上系統中可實施和集成的解決方案范圍。而使用英特爾領先的CMOS工廠在300mm硅片上加工GaN晶體管，不僅為所有最新工藝創新打開了大門，還為半導體行業帶來了顯著的效益。
由于缺乏原生襯底，幾乎所有的GaN都生長在異質襯底上，例如藍寶石、SiC和硅。然而，英特爾卻使用經濟高效的300mm硅基板，將GaN與300mm晶圓廠中最先進的高K介電金屬柵極技術結合起來。這使得增強模式操作和柵極堆疊縮放成為可能，并最終實現高性能和低泄漏，這是提高效率的關鍵。
增強型GaN晶體管技術的另一個優點是它簡化了電路架構。由于增強型晶體管是常關型的，因此不需要負電源。相反，該設備可以直接由電池驅動，從而節省了微芯片上寶貴的空間。
對300mm硅片上的高K介電增強模式GaN NMOS晶體管進行的測量顯示出出色的電氣特性以及一流的功率傳輸和射頻性能。該器件具有低漏極泄漏、高驅動漏極電流、低拐點電壓和低導通電阻。且這些高K GaN NMOS晶體管在1 GHz至30 GHz的寬頻率范圍內的功率附加效率顯著優于基于GaAs和硅/SOI晶體管的晶體管。由于具有出色的拐點電壓和導通電阻，可以在低至1V的漏極電壓下實現高效的功率放大器(PA)操作。
此次技術的突破將為未來的半導體行業帶來深遠的影響。隨著科技的不斷發展，我們有理由相信，英特爾將繼續引領半導體技術的革新，為全球帶來更多的驚喜和突破。
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