華為與哈爾濱工業(yè)大學(xué)聯(lián)合申請的一項(xiàng)專利《一種基于硅和金剛石的三維集成芯片的混合鍵合方法》引起了人們的關(guān)注。這項(xiàng)專利涉及一種基于硅和金剛石的三維集成芯片的混合鍵合方法,該方法可以充分發(fā)揮金剛石半導(dǎo)體的優(yōu)勢,應(yīng)用于更高電壓、高頻率的場景。
金剛石具有極高的硬度和熱導(dǎo)率,這意味著鉆石芯片在承受高熱量和高壓力的環(huán)境中將具有更好的穩(wěn)定性和耐用性。此外,金剛石的晶格結(jié)構(gòu)使其具有較高的電子遷移率,有利于電子在芯片中的傳輸。因此,金剛石在芯片制造領(lǐng)域具有巨大的潛力。
雖然鉆石被冠以昂貴寶石之名,但它的本質(zhì)實(shí)際上就是碳,碳在自然界中的含量還是極為豐富的。并且人工鉆石可以在數(shù)周內(nèi)進(jìn)行合成,大大降低碳排放,有助于環(huán)境保護(hù)。
華為的這項(xiàng)專利表明我國對金剛石芯片發(fā)展的重視。金剛石芯片被認(rèn)為是第四代半導(dǎo)體技術(shù)關(guān)鍵材料,有望助力我國在半導(dǎo)體領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)彎道超車。隨著半導(dǎo)體技術(shù)的不斷發(fā)展和對材料性能要求的提升,金剛石材料將在更多特定場景中發(fā)揮其獨(dú)特的優(yōu)勢,并為高端先進(jìn)制造業(yè)和消費(fèi)領(lǐng)域創(chuàng)造更多應(yīng)用空間。
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