三星電子(Samsung Electronics)在近期的一次投資者論壇活動中,向外界透露了其2024年的半導體新戰略——GDP。該戰略將圍繞環繞式閘極(GAA)技術、DRAM存儲器以及先進封裝服務展開。
據報道,三星的GDP戰略旨在通過減少3納米以下處理器漏電流的GAA技術、推出新一代DRAM產品以及提供先進的封裝服務來提高半導體業務的競爭力。在3納米晶圓代工制程方面,三星計劃對GAA技術進行改進,以更好地應對漏電流問題。此外,該公司還計劃在2024年推出低延遲帶寬(LLW)DRAM,這種新型DRAM的電力使用效率較傳統DRAM大幅提升70%。
同時,三星還計劃發布先進的3D芯片封裝技術,包括最先進的3.5D封裝。這些封裝技術將瞄準人工智能(AI)半導體爆發式商機。三星希望通過將兩種芯片封裝在一起,提供超低功耗和高效能,成為GDP戰略的核心。具體來說,三星計劃在2024年推出新一代LLW DRAM,這種處理器的數據處理速度和容量都將更高。與現有移動產品DRAM相比,LLW DRAM的電源使用效率提高了70%,并計劃用于三星正在開發的XR裝置。
業界分析認為,三星的GDP戰略主要瞄準AI半導體市場。除了提升產品效能外,該公司還計劃在生產成本方面優于競爭對手。市場調研機構Omdia的數據顯示,2023年AI半導體市場規模約為553億美元,預計到2027年將增長至1,120億美元。
另外有消息稱,三星正計劃將自家開發的AI模型三星高斯(Samsung Gauss)整合到下一代旗艦手機Galaxy S24系列中。此外,該公司還與特斯拉展開合作,為Level 5自駕車開發下一代全自駕(FSD)芯片。這些舉措充分表明三星在AI領域的雄心壯志和戰略布局。
三星的GDP戰略展示了其在半導體領域的創新力和前瞻性。通過加強前沿技術的研發和推出高效的產品和服務,三星正積極應對AI市場的挑戰并把握機遇。隨著技術的不斷進步和市場的發展,我們有理由相信三星將在AI芯片領域取得重要的突破和成就。
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