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國產光刻機挑戰:突破核心技術差距待解

來源: 責編: 時間:2023-11-28 09:32:38 254觀看
導讀在國內芯片產業中,光刻機技術一直是制約發展的關鍵。在沒有ASML提供浸潤式光刻機和EUV光刻機的情況下,國產光刻機難以在7nm以下取得突破。近年來,國內頻繁傳出光刻機突破的消息,但關鍵問題在于核心部件的國產化進展如何?光

在國內芯片產業中,光刻機技術一直是制約發展的關鍵。在沒有ASML提供浸潤式光刻機和EUV光刻機的情況下,國產光刻機難以在7nm以下取得突破。fRu28資訊網——每日最新資訊28at.com


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近年來,國內頻繁傳出光刻機突破的消息,但關鍵問題在于核心部件的國產化進展如何?fRu28資訊網——每日最新資訊28at.com


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光刻技術是在特定波長的光照下,借助光刻膠將圖形轉移到基片上的工藝。核心部件包括光源系統、物鏡系統和雙工作臺。fRu28資訊網——每日最新資訊28at.com


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光源系統使用193nm波長的深紫外線,目前上海微電子的90nm光刻機也采用了193nm波長,支持最高達到7nm。fRu28資訊網——每日最新資訊28at.com


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物鏡系統是真正的難點,ASML使用的是由卡爾蔡司提供的,目前國產光刻機的物鏡系統尚處于90nm水平,但據稱長春光電所的物鏡系統已經達到32nm,尚待確認是否已應用于光刻機。fRu28資訊網——每日最新資訊28at.com


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在物鏡系統方面,國內與ASML仍存在較大差距,可能是限制國產光刻機突破的重要因素之一。克服這一挑戰,將是國產光刻機向前邁進的重要一步。fRu28資訊網——每日最新資訊28at.com

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