6月安卓手機性能榜：vivo/iQOO霸占旗艦排行榜前三
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ictimes消息，韓國半導體巨頭SK 海力士日前啟動了邏輯半導體（如CPU和GPU）設計人員的招聘計劃，并計劃通過3D堆疊技術(shù)將HBM4直接整合到芯片上。
據(jù)悉，SK 海力士目前正在與多家半導體公司（包括Nvidia）商討HBM4的集成設計方法。預計Nvidia和SK 海力士有可能合作共同設計這一集成芯片，并通過臺積電進行代工，利用其晶圓鍵合技術(shù)將SK 海力士的HBM4芯片堆疊到邏輯芯片上。這一合作勢必帶來內(nèi)存芯片和邏輯芯片的更緊密協(xié)同，共同設計勢在必行。
如果SK 海力士能夠成功，這將徹底改變半導體行業(yè)的操作方式。不僅將邏輯和存儲新芯片的互連方式發(fā)生變革，而且還將影響它們的制造方法。
目前，HBM堆疊主要是放置在CPU或GPU旁邊的中介層上，并通過1024bit接口連接到邏輯芯片。SK 海力士的目標是將HBM4直接堆疊在邏輯芯片上，消除中介層的存在。
這一方法在某種程度上類似于AMD的3D V-Cache堆疊，直接將L3 SRAM緩存封裝在CPU芯片上。相比之下，采用HBM則可以實現(xiàn)更高的容量，且更經(jīng)濟實惠。
當前，半導體行業(yè)面臨的主要問題之一是HBM4需要采用2048bit接口，因此HBM4的中介層非常復雜且成本高昂。因此，將內(nèi)存和邏輯芯片堆疊在一起對于經(jīng)濟效益是可行的，但同時也帶來了新的問題，尤其是散熱。
韓國科學技術(shù)院電氣與電子工程系的教授Kim Jung-ho表示：“如果在兩到三代之后解決散熱問題，那么HBM和GPU將能夠像一體一樣運作，而無需中介層”。
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