近日，2025上海寬禁帶與超寬禁帶半導體產業創新發展推進會在臨港新片區舉辦，會上啟動了“超寬禁帶半導體未來產業集聚區”建設，并推出多項戰略舉措。
據“上海科技”報道，臨港新片區將發揮產業與資源優勢，深化市區聯動，在關鍵技術攻關、應用場景建設和公共技術平臺建設等方面加強政策支撐，推動創新鏈、產業鏈、資金鏈和人才鏈深度融合，打造適合寬禁帶與超寬禁帶半導體產業發展的創新生態。
寬禁帶與超寬禁帶半導體作為新型半導體材料，展現出顯著性能優勢。寬禁帶半導體禁帶寬度在2-4 eV之間，以碳化硅和氮化鎵為代表，具備高擊穿場強、高熱導率和高頻特性，廣泛應用于逆變器、充電樁、工業電機驅動等領域。超寬禁帶半導體禁帶寬度大于4 eV，以金剛石、氧化鋁和氧化鎵為代表，在電網、高鐵、醫療消毒等領域有廣闊市場前景。
目前，寬禁帶半導體已進入規模化應用階段，未來將逐步替代硅基器件；超寬禁帶半導體尚在研發突破期，需解決材料缺陷、器件工藝和可靠性問題。氧化鎵可能因成本低率先在功率器件領域突圍，金剛石則瞄準高端散熱和量子技術。
上海近年來在寬禁帶與超寬禁帶半導體領域加速布局，以臨港新片區為主要集聚地，初步構建起寬禁帶半導體全產業鏈發展格局，聚集芯源微、拓荊科技等一批龍頭企業。臨港新片區黨工委副書記吳曉華表示，到2026年，臨港在寬禁帶半導體領域的設備材料及晶圓制造規模、模組器件規模均將超100億元，成為全國寬禁帶半導體產業鏈最全、創新能力最強、應用生態最好的基地。
會上，上海市寬禁帶與超寬禁帶半導體材料重點實驗室揭牌，該實驗室由上海天岳半導體材料有限公司與中國科學院上海光學精密機械研究所共同籌建，致力于打通科技創新和產業化雙向鏈接通道。超寬禁帶半導體概念驗證中心、集成電路材料概念驗證中心啟動建設，將依托臨港新片區產業布局優勢，推進技術可行性與商業潛力驗證。寬禁帶與超寬禁帶產業基金矩陣發布，由上海市未來產業基金等9家機構組成，為行業發展提供支持。上海市超寬禁帶半導體創新發展聯盟發起成立，集聚全國相關領域高校、科研院所及企業，構建產業技術創新體系。

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