5月16日，鎵仁半導(dǎo)體與德國(guó)氧化鎵外延頭部企業(yè)NextGO.Epi簽署全球戰(zhàn)略合作協(xié)議。雙方將結(jié)合各自的技術(shù)優(yōu)勢(shì)，共同聚焦超寬禁帶半導(dǎo)體材料氧化鎵的研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化，推動(dòng)其在新能源與電力電子等領(lǐng)域的應(yīng)用突破，為全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)注入新活力。
資料顯示，NextGO.Epi成立于2025年，專注于高品質(zhì)β-Ga?O?（氧化鎵）外延片的大規(guī)模制造，為高功率和光電探測(cè)應(yīng)用提供關(guān)鍵材料支持。該公司是德國(guó)萊布尼茨晶體生長(zhǎng)研究所（IKZ）孵化的企業(yè)，由周大順博士、Andreas Popp博士和Andreas Fiedler博士共同創(chuàng)立，總部位于德國(guó)柏林。
圖源：鎵仁半導(dǎo)體——圖為NextGO Epi 坐落于德國(guó)柏林萊布尼茨晶體研究所
鎵仁半導(dǎo)體作為一家專注于寬禁帶半導(dǎo)體材料研發(fā)、生產(chǎn)和銷售的科技型企業(yè)，近年來(lái)在氧化鎵領(lǐng)域取得了顯著成果。公司自主研發(fā)的鑄造法單晶生長(zhǎng)技術(shù)，實(shí)現(xiàn)了從2英寸到8英寸氧化鎵單晶襯底的快速升級(jí)，創(chuàng)造了每年提升一個(gè)尺寸的行業(yè)紀(jì)錄。此外，鎵仁半導(dǎo)體還開(kāi)發(fā)了國(guó)內(nèi)首臺(tái)包含工藝包的氧化鎵專用VB長(zhǎng)晶設(shè)備，并已全面對(duì)外銷售。

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