據韓媒ET News和ZDNet Korea報道，在韓國舉辦的AI半導體早餐論壇上，三星存儲器事業部DRAM設計團隊負責人孫教民以“面向AI時代的DRAM解決方案”為題發表演講，介紹了三星在下一代DRAM技術上的最新進展。
目前，三星正開發多種新型DRAM解決方案，其中包括結合NAND Flash與CXL（Compute Express Link）模塊的混合存儲器結構。這種混合結構被稱為“CMM-Hybrid”，通過在DRAM模塊中加入NAND存儲器，可顯著提升存儲容量，同時實現傳統DRAM無法支持的新應用。孫教民指出，這種技術具有很高的發展潛力，能夠滿足AI產業對高性能存儲器的需求。
目前已商業化的CXL 1.1和2.0版本基于存儲器模塊CMM-D，搭載具備CXL功能的DRAM。而CMM-Hybrid作為下一代解決方案，正在通過FPGA原型進行驗證，目標是在2027年實現商業化。此外，三星還在研發多種形態的存儲器技術，以應對主機CPU與存儲器間傳輸帶寬及容量的限制。
孫教民還提到，高帶寬存儲器（HBM）雖在服務器領域持續受到關注，但其高成本和高功耗限制了應用場景。相比之下，LPDDR-PIM與CXL等技術成為更具性價比的解決方案。LPDDR6規格的開發也已進入討論階段，三星正與聯合電子設備工程委員會（JEDEC）密切合作，推動相關技術標準化。

CXL作為一種新興互連技術，被業界視為突破傳統存儲器架構瓶頸的重要方案。通過PCIe通道擴展存儲器容量，CXL能夠實現CPU、GPU、存儲器擴展模塊和存儲裝置的高效協同運作，顯著提升數據處理效率。這一技術正在為AI時代的存儲器需求提供全新的解決路徑。

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