韓美半導體（Hanmi Semiconductor）近日宣布推出一款專用于生產第六代高帶寬存儲器（HBM4）的熱壓鍵合機（TCB），型號為TC BONDER 4。據韓媒Chosun Biz和Ddaily等報道，這款設備為HBM4量身打造，能夠滿足更高精密度的生產需求，其性能和效率較同類競爭產品有顯著提升。
全球存儲器制造商預計將在2025年下半年開始量產HBM4。與HBM3E相比，HBM4的運行速度提高了60%，功耗僅為HBM3/HBM3E的70%。此外，HBM4支持最高16層堆疊，單顆DRAM容量從24Gb擴展至32Gb，同時數據傳輸通道矽穿孔（TSV）界面數量增加到2048個，大幅提升了處理器與存儲器之間的數據傳輸效率。
韓美半導體會長郭東信表示，2025年下半年，NVIDIA計劃推出下一代產品Blackwell Ultra，該產品將通過韓美半導體的TCB設備進行生產。這一合作進一步鞏固了韓美半導體在全球HBM用TCB設備市場的領先地位。
值得注意的是，HBM4的生產對高難度焊接技術提出了更高要求。此前有觀點認為，HBM4的量產需依賴混合鍵合（Hybrid Bonding）技術。然而，近期國際半導體標準組織（JEDEC）將HBM4的標準高度放寬至775微米（μm），使得基于TC Bonder的制造工藝成為可能，這也為韓美半導體帶來了直接利好。
截至目前，韓美半導體已申請了約120項與HBM設備相關的專利。在12層HBM3E用TCB設備市場中，其市占率超過90%，顯示出其在高端存儲器生產設備領域的強大競爭力。

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