據(jù)韓媒Deal Site報道,三星電子正逐步減少對日本新川熱壓鍵合機(jī)(TCB)設(shè)備的依賴,未來可能完全轉(zhuǎn)向其半導(dǎo)體設(shè)備子公司Semes,將其作為TCB設(shè)備的唯一供應(yīng)商。
近年來,三星在高帶寬存儲器(HBM)的生產(chǎn)中,逐步用Semes的設(shè)備取代新川的TCB設(shè)備。特別是在HBM早期的4層堆疊制程中,新川設(shè)備曾占據(jù)重要地位,但隨著技術(shù)升級至8層、12層甚至16層堆疊,新川設(shè)備被認(rèn)為規(guī)格較低,已無法滿足當(dāng)前需求。業(yè)界消息指出,三星在最新制程中已幾乎完全由Semes負(fù)責(zé)相關(guān)設(shè)備供應(yīng)。
三星與美光采用的TC-NCF技術(shù),通過熱壓使絕緣膜(NCF)熔融并黏合晶粒,具有制程簡單、厚度易調(diào)整的優(yōu)勢,但散熱性能較差。新川曾長期為三星和美光供應(yīng)NCF方式的TCB設(shè)備,但隨著技術(shù)迭代,新川設(shè)備逐漸失去競爭力。
與此同時,三星正積極推動TCB設(shè)備的“內(nèi)制化”,通過Semes提升技術(shù)能力并強(qiáng)化盈利能力。業(yè)內(nèi)人士透露,三星似乎不再堅(jiān)持“雙供應(yīng)商”策略,且新川的營收中已未見與三星相關(guān)的收入,這表明雙方關(guān)系可能已實(shí)質(zhì)終結(jié)。
此外,美光為生產(chǎn)HBM3E,新增韓美半導(dǎo)體為TCB設(shè)備供應(yīng)商,并采用“雙供應(yīng)商”策略。據(jù)傳,韓美半導(dǎo)體2024年將向美光銷售超過30臺設(shè)備,2025年供貨量預(yù)計(jì)進(jìn)一步增加。然而,由于韓美半導(dǎo)體與Semes曾有專利糾紛,其進(jìn)入三星供應(yīng)鏈的可能性較低,預(yù)計(jì)韓美半導(dǎo)體將繼續(xù)聚焦美光和SK海力士的訂單。
對于上述傳聞,三星相關(guān)人士表示,關(guān)于合作伙伴的任何事項(xiàng)均無法確認(rèn)。
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