創(chuàng)意電子于4月2日宣布，成功完成HBM4控制器與實(shí)體層（PHY）半導(dǎo)體IP的投片。這款芯片采用了臺(tái)積電的N3P制程技術(shù)，并結(jié)合CoWoS-R先進(jìn)封裝技術(shù)，實(shí)現(xiàn)了性能的顯著提升。
據(jù)創(chuàng)意電子透露，HBM4 IP支持高達(dá)12Gbps的數(shù)據(jù)傳輸速率。通過創(chuàng)新的中介層（interposer）布局設(shè)計(jì)，優(yōu)化了信號(hào)完整性（SI）與電源完整性（PI），確保HBM4在多種CoWoS技術(shù)下都能穩(wěn)定運(yùn)行于高速模式。相比HBM3，HBM4 PHY的帶寬提升了2.5倍，功耗效率提高了1.5倍，面積效率更是提升了2倍。
此外，創(chuàng)意電子表示，HBM4 IP將繼續(xù)與proteanTecs在HBM、Glink與UCIe IP領(lǐng)域展開技術(shù)合作。HBM4 IP還整合了proteanTecs的互連監(jiān)測(cè)解決方案，提供HBM聯(lián)機(jī)信號(hào)的可觀測(cè)性與電氣特性分析，從而進(jìn)一步提升終端產(chǎn)品的性能與可靠性。
創(chuàng)意電子總經(jīng)理戴尚義表示，公司很自豪成為全球首家成功投片12Gbps HBM4控制器與PHY IP的企業(yè)。未來，創(chuàng)意電子將繼續(xù)提供業(yè)界領(lǐng)先的2.5D/3D IP與服務(wù)，通過整合HBM4、UCIe-A與UCIe-3D IP，為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)提供全面性解決方案，以滿足市場(chǎng)不斷演進(jìn)的需求。
HBM4 IP的設(shè)計(jì)亮點(diǎn)包括：在所有sign-off PVT條件下均可達(dá)到12Gbps；高總線利用率，隨機(jī)讀寫存取時(shí)可達(dá)約90%；創(chuàng)新中介層（interposer）布局設(shè)計(jì)，確保各類CoWoS技術(shù)下的最佳SI/PI表現(xiàn)；內(nèi)建由proteanTecs提供的每通道實(shí)時(shí)I/O及clock能效與健康監(jiān)測(cè)電路。
該里程碑進(jìn)一步強(qiáng)化了創(chuàng)意電子在先進(jìn)IP領(lǐng)域的布局，將HBM4納入HBM3/3E、32Gbps UCIe-A及UCIe-3D IP等解決方案之列，共同構(gòu)成完整的2.5D與3D解決方案，為客戶提供強(qiáng)大支持，以應(yīng)對(duì)AI、高性能運(yùn)算（HPC）等最具挑戰(zhàn)性的應(yīng)用需求。

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