K8S | Service服務(wù)發(fā)現(xiàn)
一、背景在微服務(wù)架構(gòu)中，這里以開發(fā)環(huán)境「Dev」為基礎(chǔ)來(lái)描述，在K8S集群中通常會(huì)開放：路由網(wǎng)關(guān)、注冊(cè)中心、配置中心等相關(guān)服務(wù)，可以被集群外部訪問；圖片對(duì)于測(cè)試「Tes」環(huán)境或者
近日，旺宏電子與中國(guó)臺(tái)灣半導(dǎo)體研究中心（TSRI）共同發(fā)布了新型高密度、高帶寬3D DRAM技術(shù)。該技術(shù)不使用傳統(tǒng)電容，以2顆IGZO晶體管串聯(lián)存儲(chǔ)信號(hào)，具有體積小、高帶寬、能耗低、耐用度高等優(yōu)勢(shì)。
半導(dǎo)體中心指出，這種無(wú)電容設(shè)計(jì)使存儲(chǔ)器尺寸更小，3D堆疊更緊密，同時(shí)消除了電容導(dǎo)致的讀寫速度慢和耗能高的問題。使用寬能隙半導(dǎo)體材料還可延長(zhǎng)數(shù)據(jù)保存時(shí)間，未來(lái)有望成為新一代HBM。
面對(duì)中國(guó)大陸DeepSeek的挑戰(zhàn)，半導(dǎo)體中心表示，芯片市場(chǎng)依然真實(shí)且前景廣闊。臺(tái)積電董事長(zhǎng)魏哲家和NVIDIA CEO黃仁勛均對(duì)AI芯片市場(chǎng)持樂觀態(tài)度，認(rèn)為這將推升HBM需求。
旺宏電子資深處長(zhǎng)謝光宇表示，該技術(shù)是全新結(jié)構(gòu)，未來(lái)量產(chǎn)需考慮市場(chǎng)和應(yīng)用環(huán)境，但在技術(shù)上已具備可行性。此次合作標(biāo)志著旺宏在3D DRAM領(lǐng)域已占據(jù)一席之地。
此外，半導(dǎo)體中心還指出，AI芯片需要高速、高密度、低耗能的HBM來(lái)滿足大數(shù)據(jù)運(yùn)算需求。現(xiàn)有DRAM受封裝技術(shù)限制，帶寬受限且耗能高，因此研發(fā)新型HBM具有重要意義。
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