據(jù)臺(tái)媒《工商時(shí)報(bào)》報(bào)道,在美國(guó)特朗普政府威脅對(duì)中國(guó)臺(tái)灣生產(chǎn)的芯片加征關(guān)稅的背景下,臺(tái)積電計(jì)劃進(jìn)一步擴(kuò)大對(duì)美國(guó)的投資,并為2nm工藝在美國(guó)量產(chǎn)做準(zhǔn)備。英國(guó)《金融時(shí)報(bào)》也表達(dá)了類似觀點(diǎn),并援引熟悉臺(tái)積電的人士的消息稱,臺(tái)積電可能還將決定在美國(guó)建立先進(jìn)封裝產(chǎn)能。
臺(tái)積電自2020年5月宣布在亞利桑那州進(jìn)行第一筆投資以來(lái),投資金額從最初的120億美元逐步提升至650億美元。2024年4月,為了獲得《芯片與科學(xué)法案》的補(bǔ)貼,臺(tái)積電宣布將在亞利桑那州鳳凰城建造三座晶圓廠,總投資金額達(dá)到650億美元,創(chuàng)造超過25000個(gè)直接就業(yè)機(jī)會(huì)。
根據(jù)計(jì)劃,這三座晶圓廠將包括一期的4nm晶圓廠,已開始量產(chǎn);二期的3nm晶圓廠,預(yù)計(jì)2028年量產(chǎn);三期的2nm晶圓廠,預(yù)計(jì)在2030年前后量產(chǎn)。臺(tái)積電還計(jì)劃在美國(guó)建立先進(jìn)封裝產(chǎn)能,以補(bǔ)全制造流程。
特朗普政府計(jì)劃對(duì)中國(guó)臺(tái)灣生產(chǎn)的芯片加征關(guān)稅,迫使臺(tái)積電進(jìn)一步擴(kuò)大在美國(guó)的投資。臺(tái)積電管理層認(rèn)為,將過多的生產(chǎn)轉(zhuǎn)移到美國(guó)會(huì)破壞其商業(yè)模式,并受到中國(guó)臺(tái)灣當(dāng)局的限制。然而,為了獲得美國(guó)政府的補(bǔ)貼并避免高額關(guān)稅,臺(tái)積電可能會(huì)加快向美國(guó)引入先進(jìn)技術(shù)的時(shí)間表,并承諾進(jìn)一步增加投資。
臺(tái)積電在美國(guó)的投資計(jì)劃不僅有助于實(shí)現(xiàn)美國(guó)到2030年生產(chǎn)20%全球最先進(jìn)邏輯芯片的目標(biāo),也將為臺(tái)積電在全球市場(chǎng)的競(jìng)爭(zhēng)力提供有力支持。
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