7 月 14 日消息,韓媒 ETNews 當地時間本月 9 日報道稱,SK 海力士為應對先進存儲器晶圓厚度的不斷降低,考慮導入飛秒激光等先進晶圓切割技術。
據悉 SK 海力士目前使用的主要晶圓切割技術包括機械刀片切割(采用金剛石砂輪)、隱形切割(內部創造裂隙),但分別只能適應厚度在 100μm 及以上、50μm 左右的晶圓。
而先進存儲器的晶圓厚度目前正在進一步降低,尤其是在需要多層堆疊且堆棧總高有限的先進 HBM 內存和需要混合鍵合連接存儲單元與外圍電路的未來 400+ 層 NAND 中。
報道指出,SK 海力士正與激光設備合作伙伴共同探索新的晶圓切割設備聯合評估項目。該企業已與部分合作伙伴展開技術測試,探索多種可能的技術路線,包括預開槽和直接完全利用激光分離等備選方案。
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