9 月 24 日消息,美光在 2025 財年第四財季及全財年財報電話會議上確認,該企業在 HBM4 內存堆棧底部的基礎邏輯裸片(注:Base Logic Die)上采用的是內部 CMOS 工藝,而在 HBM4E 上該芯片將轉由臺積電代工。
美光表示 HBM4E 內存預計在 2027 年左右正式商業化,美光將在該世代提供行業標準型和客戶定制型兩類基礎邏輯裸片解決方案以滿足不同的需求,而定制型 HBM4E 有望帶來更高的毛利率。
而對于離現在更近的 HBM4,美光確認部分客戶對這一內存產品提出了高于 JEDEC 規范的每引腳 10Gbps 傳輸速率帶寬要求,美光最近向客戶出樣了 11Gbps 速率的 HBM4。
針對整體 HBM 銷售和供應,美光已與幾乎所有客戶就 2026 年絕大多數 HBM3E 供應量達成價格協議,而美光的 2026 年 HBM4 供應談判正在積極進行,有望在未來數月達成;美光的首批 HBM4 生產出貨將在明年二季度實現。

至于非 HBM 的其它存儲產品線,美光宣布該企業在 2025 財年第四財季完成首批 10667MT/s 1-beta LPDDR5x 的 OEM 認證、取得首筆 1-gamma 服務器 DRAM 收入、在日本廣島生產基地安裝首臺用于 1-gamma DRAM 制造的 EUV 光刻機、性能級和主流級 G9 NAND 固態硬盤通過 OEM 客戶認證。
展望 2026 年,美光預計行業內將繼續出現 DRAM 內存供應緊張情況,同時 NAND 市場條件將持續加強。
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