9 月 15 日消息,臺媒《工商時報》今日援引供應鏈的消息表示,英偉達考慮率先導入臺積電首個采用背面供電 (BSPDN) 技術的先進制程節點 A16。
報道指出,英偉達上次使用臺積電最先進制程技術制造芯片還是 110nm 時期,即 2004 年的 NV43 芯片。而英偉達之所以打破了這持續 20 余年的“常規”,是因為其看上了 A16 的潛力。

臺積電在 A16 中導入了名為超級電軌 (Super Power Rail, SPR) 的解決方案,不僅釋放了晶圓正面空間同時大幅度改進了壓降問題,還能保持與傳統正面供電下相同的柵極密度、布局版框尺寸和組件寬度調節的彈性。
相較臺積電第二代 2nm 制程工藝 N2P,A16 在相同工作電壓下速度提升 8~10%、相同速度下功耗降低 15~20%、芯片密度提升 10%,顯示了全面的 PPA 改進,適用于 HPC 高性能計算芯片。

近年以來臺積電先進制程的首發芯片多是移動處理器或是礦機芯片,而在 N2 節點上 AMD 以 "Zen 6" EPYC "Venice" 打破了這一局面,顯示 AI / HPC 已步入全球半導體市場舞臺的中央。英偉達有望臺積電 A16 制程打造 "Rubin" 后的下一代 "Feynman" AI GPU。
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