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僅次于光刻!我國突破氫離子注入核心技術(shù) 100%國產(chǎn)

來源: 責編: 時間:2024-09-11 16:25:17 108觀看
導讀 快科技9月11日消息,據(jù)國家電力投資集團官方消息,近日,集團所屬國電投核力創(chuàng)芯(無錫)科技有限公司核力創(chuàng)芯暨國家原子能機構(gòu)核技術(shù)(功率芯片質(zhì)子輻照)研發(fā)中心,完成了首批氫離子注入性能優(yōu)化芯片產(chǎn)品客戶交付。這標

快科技9月11日消息,據(jù)國家電力投資集團官方消息,近日,集團所屬國電投核力創(chuàng)芯(無錫)科技有限公司核力創(chuàng)芯暨國家原子能機構(gòu)核技術(shù)(功率芯片質(zhì)子輻照)研發(fā)中心,完成了首批氫離子注入性能優(yōu)化芯片產(chǎn)品客戶交付。GNO28資訊網(wǎng)——每日最新資訊28at.com

這標志著,我國已全面掌握功率半導體高能氫離子注入核心技術(shù)和工藝,補全了我國半導體產(chǎn)業(yè)鏈中缺失的重要一環(huán),為半導體離子注入設備和工藝的全面國產(chǎn)替代奠定了基礎。GNO28資訊網(wǎng)——每日最新資訊28at.com

僅次于光刻!我國突破氫離子注入核心技術(shù) 100%國產(chǎn)工程師進行晶圓離子注入生產(chǎn)GNO28資訊網(wǎng)——每日最新資訊28at.com

氫離子注入是半導體晶圓制造中僅次于光刻的重要環(huán)節(jié),在集成電路、功率半導體、第三代半導體等多種類型半導體產(chǎn)品制造過程中起著關(guān)鍵作用。GNO28資訊網(wǎng)——每日最新資訊28at.com

這一領(lǐng)域核心技術(shù)、裝備工藝的缺失,嚴重制約了我國半導體產(chǎn)業(yè)的高端化發(fā)展,特別是600V以上高壓功率芯片長期依賴進口。GNO28資訊網(wǎng)——每日最新資訊28at.com

核力創(chuàng)芯在遭遇外國關(guān)鍵技術(shù)、裝備封鎖的不利條件下,在不到3年的時間里,突破了多項關(guān)鍵技術(shù)壁壘,實現(xiàn)了100%自主技術(shù)、100%裝備國產(chǎn)化,建成了我國首個核技術(shù)應用和半導體領(lǐng)域交叉學科研發(fā)平臺。GNO28資訊網(wǎng)——每日最新資訊28at.com

首批交付的芯片產(chǎn)品經(jīng)歷了累計近1萬小時的工藝、可靠性測試驗證,主要技術(shù)指標達到國際先進水平,獲得用戶高度評價。GNO28資訊網(wǎng)——每日最新資訊28at.com

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