石頭自清潔掃拖機(jī)器人G10S評(píng)測(cè)：多年黑科技集大成之作 懶人終極福音
科技圈經(jīng)常能看到一個(gè)詞叫“縫合怪”，用來形容那些把好多功能或者外觀結(jié)合在一起的產(chǎn)品，通常這樣的詞是貶義詞，但如果真的是產(chǎn)品縫合的好、縫合的實(shí)用的話，那它就成了中性詞，今
快科技7月16日消息，英國(guó)QuInAs Technology近日宣布，公司已獲得Innovate UK基金會(huì)的110萬英鎊（約合1038萬元人民幣）資助，用于推動(dòng)UltraRAM內(nèi)存技術(shù)的量產(chǎn)化進(jìn)程。
這筆資金將用于將UltraRAM晶圓直徑由3英寸擴(kuò)大到6英寸，下一階段目標(biāo)是在完整的8英寸晶圓上制造，然后將該工藝轉(zhuǎn)化為適合晶圓廠的工業(yè)工藝。
這項(xiàng)技術(shù)由英國(guó)蘭開斯特大學(xué)和華威大學(xué)的物理學(xué)家共同開發(fā)，旨在將非易失性閃存NAND與易失性內(nèi)存RAM的優(yōu)勢(shì)結(jié)合，創(chuàng)造出一種超高效、高耐用性的新型存儲(chǔ)解決方案。
UltraRAM的核心優(yōu)勢(shì)在于其超長(zhǎng)的寫入壽命和數(shù)據(jù)保持能力，QuInAs聲稱，UltraRAM技術(shù)高可承受1000萬次的重寫循環(huán)，同時(shí)存儲(chǔ)到UltraRAM單元中的電荷可以保持1000年不泄露。
同時(shí)UltraRAM的能效比DRAM高出100倍，比3D NAND高出1000倍。
UltraRAM的創(chuàng)新之處在于其三層浮動(dòng)閥的設(shè)計(jì)，由砷化銦和銻化鋁（InAs/AlSb）材料制成，這種結(jié)構(gòu)不僅確保了能源效率，還提供了優(yōu)秀的數(shù)據(jù)保護(hù)。
在讀取操作中，UltraRAM采用非破壞性方式，電子在共振時(shí)穿過三重勢(shì)壘進(jìn)入單元，擦除過程中則以相同的方式退出，這種機(jī)制使得寫入過程極為節(jié)能。
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