近日,集邦咨詢發(fā)布市場研報,稱蘋果正在計劃使用QLC NAND閃存,從而將iPhone的存儲上限提升至2TB。
早些時候,也曾有消息稱,蘋果或許將在部分iPhone 16上改變閃存規(guī)格。
具體來說,在容量達(dá)到或超過1TB的機(jī)型中,采用QLC NAND閃存。
與TLC相比,QLC的優(yōu)勢在于每個存儲單元可以存儲4bit數(shù)據(jù),與TLC相比存儲密度提高了33%。
除了存儲密度更高,QLC還擁有更低的成本,這使得它被廣泛應(yīng)用在入門級固態(tài)硬盤與大容量存儲硬件中。
不過,QLC顯然并不完美。
雖然QLC的密度比TLC高,但速度卻比后者慢;而且單個單元中存在更多的單元,它們的耐用性較差,這意味著它們能處理的寫入周期比TLC少。
這意味著,如果蘋果繼續(xù)執(zhí)行這一計劃,一些版本的iPhone 16 用戶可能會遇到數(shù)據(jù)寫入速度低于低容量用戶的情況。
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