ASML今年將推出創紀錄的EUV光刻機，價值3億美元
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時間：2023-09-08 17:41:23
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導讀本文由半導體產業縱橫（ID：ICVIEWS）編譯自tomshardwareASML即將推出NA為0.55，分辨率達到8nm的EUV設備。本周，ASML首席執行官Peter Wennink表示，今年有望推出業界首款數值孔徑（NA）達到0.55的極紫外（EUV）光刻設備。ASML的Twinscan
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udh28資訊網——每日最新資訊28at.com本周，ASML首席執行官Peter Wennink表示，今年有望推出業界首款數值孔徑（NA）達到0.55的極紫外（EUV）光刻設備。ASML的Twinscan EXE：5000掃描儀將主要用于開發目的，并使該公司的客戶熟悉新技術及其功能。高數值孔徑設備的商業使用計劃在2025年及以后進行。“一些供應商在實際提高并向我們提供適當水平的技術質量方面遇到了一些困難，因此導致一些延遲，”Peter Wennink在與路透社的對話中表示。“但事實上，第一批貨物仍然可以在今年推出。”今年，ASML將向一位未公開的客戶運送其Twinscan EXE：5000掃描儀。客戶很可能是英特爾，因為該公司曾經公開披露計劃在其18A制程工藝技術中使用高數值孔徑掃描儀，但最終不得不選擇使用應用材料公司的Centura Sculpta系統進行EUV雙重曝光和圖案塑造的不同解決方案，因為商用Twinscan EXE：5200掃描儀在2025年才能上市。英特爾宣布計劃從2025年開始采用ASML的高數值孔徑Twinscan EXE掃描儀進行大批量生產（HVM），屆時該公司打算開始使用其18A（~1.8nm）制程技術。為此，英特爾自 2018 年以來一直在嘗試使用高數值孔徑光刻設備，當時它獲得了 ASML 的 Twinscan EXE：5000，該公司訂購了ASML的下一代高數值孔徑商用設備Twinscan EXE：5200。高數值孔徑EUV設備對于更高分辨率（<8 nm，目前的0.33 NA EUV的分辨率為13nm）至關重要，可實現更小的晶體管和更高的晶體管密度。除了完全不同的光學設計外，高數值孔徑掃描儀還有望提供更快的光罩和晶圓平臺以及更高的生產率。例如，Twinscan EXE：5200的生產率超過每小時200個晶圓（WPH）。相比之下，ASML的頂級0.33 NA EUV設備Twinscan NXE：3600D的WPH為160。英特爾可能會在其18A后的制程工藝技術中采用ASML的高NA工具，而競爭對手臺積電和三星將在本十年晚些時候使用它們。這些掃描儀不會便宜，據估計，每臺這樣的設備成本可能超過3億美元，這將進一步提高最先進制程晶圓廠的成本。ASML已經交付給客戶的最先進EUV掃描儀具有0.33 NA和13nm分辨率，可以通過單次曝光圖案打印金屬間距約為30nm的芯片，這對于5nm或4nm級等制程節點來說已經足夠了。對于更精細的制程，芯片制造商要么需要使用EUV雙重曝光或圖案塑造技術，這就是他們未來幾年要做的事情。但除此之外，他們計劃使用ASML的下一代高數值孔徑EUV掃描儀，其數值孔徑為0.55，分辨率約為8nm。需要注意的是，0.55 NA EUV設備不會取代晶圓廠目前使用的深紫外（DUV）和EUV設備，就像引入0.33 NA EUV不會逐步淘汰DUV光刻機一樣。在可預見的未來，ASML將繼續推進其DUV和0.33 NA EUV掃描儀。同時，高數值孔徑EUV光刻技術將在縮小晶體管尺寸和提高其性能方面繼續發揮關鍵作用。![]()
臺積電3nm產能受限，等待更強EUV問世udh28資訊網——每日最新資訊28at.com
由于臺積電3nm制程產線的設備和產量受限，無法滿足蘋果即將推出的新設備之所有需求，預計明年換用ASML更強EUV光刻機可望改善。蘋果傳出已包下臺積電3nm量產初期全部產能，市場盛傳，今年下半年推出的iPhone 15 Pro系列A17處理器，以及新款MacBook的M3處理器都將采用臺積電3nm（N3E）制程量產，但分析師稱，目前臺積電的產能率尚未達到蘋果新品所需水平。Arete Research 高級分析師Brett Simpson指出，臺積電對蘋果收取的N3硅晶圓定價，將在2024年上半年回歸正常，均價大約會介于16000~17000美元，估計臺積電目前的A17和M3處理器的良率約為55%，這與臺積電所處的發展階段相符，有望按計劃，每季將良率提高約5個百分點。Simpson 補充道，臺積電在早期階段的重點是優化產量和晶圓周期時間以提高效率。Susquehanna International Group 高級分析師Mehdi Hosseini稱，由于需要采用供應商ASML的EUV曝光技術進行多重曝光，基于成本考量，研判具更高吞吐量的ASML新款High-NA NXE：3800E下半年上市之前，臺積電3nm制程無法真正放量生產。臺積電目前使用ASML的NXE：3600D光刻機系統，每小時可生產160個晶圓（wph）。ASML 今年底即將推出新款高NA的NXE：3800E光刻機系統，通過降低EUV多重曝光（patterning）的總體成本，NXE：3800E初期能達30mJ/cm2，約每小時195片晶圓產能，最后能提升到每小時220片晶圓，吞吐量比NXE：3600D提高30%。盡管臺積電最大對手三星電子已號稱為其IC設計的客戶大幅提升3nm良率，Hosseini認為，臺積電仍是先進制程晶圓代工的首選。Hosseini 稱，三星尚未展示穩定的先進制程技術，而英特爾晶圓代工服務 （IFS） 距離能提供有競爭力的解決方案還差數年的時間。臺積電預期2023年的營收可能出現自2009年金融海嘯以來首次下滑，全年營收再度出現負增長。Simpson 預估，對于其它代工企業來說，2023 年的銷售額下降幅度可能比臺積電更大，下半年復蘇緩慢將是常態。聲明：本文系原作者創作。文章內容系其個人觀點，我方轉載僅為分享與討論，不代表我方贊成或認同，如有異議，請聯系后臺。![]()
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