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qh428資訊網(wǎng)——每日最新資訊28at.com本周，ASML首席執(zhí)行官Peter Wennink表示，今年有望推出業(yè)界首款數(shù)值孔徑（NA）達(dá)到0.55的極紫外（EUV）光刻設(shè)備。ASML的Twinscan EXE：5000掃描儀將主要用于開發(fā)目的，并使該公司的客戶熟悉新技術(shù)及其功能。高數(shù)值孔徑設(shè)備的商業(yè)使用計劃在2025年及以后進(jìn)行。“一些供應(yīng)商在實際提高并向我們提供適當(dāng)水平的技術(shù)質(zhì)量方面遇到了一些困難，因此導(dǎo)致一些延遲，”Peter Wennink在與路透社的對話中表示。“但事實上，第一批貨物仍然可以在今年推出。”今年，ASML將向一位未公開的客戶運送其Twinscan EXE：5000掃描儀。客戶很可能是英特爾，因為該公司曾經(jīng)公開披露計劃在其18A制程工藝技術(shù)中使用高數(shù)值孔徑掃描儀，但最終不得不選擇使用應(yīng)用材料公司的Centura Sculpta系統(tǒng)進(jìn)行EUV雙重曝光和圖案塑造的不同解決方案，因為商用Twinscan EXE：5200掃描儀在2025年才能上市。英特爾宣布計劃從2025年開始采用ASML的高數(shù)值孔徑Twinscan EXE掃描儀進(jìn)行大批量生產(chǎn)（HVM），屆時該公司打算開始使用其18A（~1.8nm）制程技術(shù)。為此，英特爾自 2018 年以來一直在嘗試使用高數(shù)值孔徑光刻設(shè)備，當(dāng)時它獲得了 ASML 的 Twinscan EXE：5000，該公司訂購了ASML的下一代高數(shù)值孔徑商用設(shè)備Twinscan EXE：5200。高數(shù)值孔徑EUV設(shè)備對于更高分辨率（<8 nm，目前的0.33 NA EUV的分辨率為13nm）至關(guān)重要，可實現(xiàn)更小的晶體管和更高的晶體管密度。除了完全不同的光學(xué)設(shè)計外，高數(shù)值孔徑掃描儀還有望提供更快的光罩和晶圓平臺以及更高的生產(chǎn)率。例如，Twinscan EXE：5200的生產(chǎn)率超過每小時200個晶圓（WPH）。相比之下，ASML的頂級0.33 NA EUV設(shè)備Twinscan NXE：3600D的WPH為160。英特爾可能會在其18A后的制程工藝技術(shù)中采用ASML的高NA工具，而競爭對手臺積電和三星將在本十年晚些時候使用它們。這些掃描儀不會便宜，據(jù)估計，每臺這樣的設(shè)備成本可能超過3億美元，這將進(jìn)一步提高最先進(jìn)制程晶圓廠的成本。ASML已經(jīng)交付給客戶的最先進(jìn)EUV掃描儀具有0.33 NA和13nm分辨率，可以通過單次曝光圖案打印金屬間距約為30nm的芯片，這對于5nm或4nm級等制程節(jié)點來說已經(jīng)足夠了。對于更精細(xì)的制程，芯片制造商要么需要使用EUV雙重曝光或圖案塑造技術(shù)，這就是他們未來幾年要做的事情。但除此之外，他們計劃使用ASML的下一代高數(shù)值孔徑EUV掃描儀，其數(shù)值孔徑為0.55，分辨率約為8nm。需要注意的是，0.55 NA EUV設(shè)備不會取代晶圓廠目前使用的深紫外（DUV）和EUV設(shè)備，就像引入0.33 NA EUV不會逐步淘汰DUV光刻機一樣。在可預(yù)見的未來，ASML將繼續(xù)推進(jìn)其DUV和0.33 NA EUV掃描儀。同時，高數(shù)值孔徑EUV光刻技術(shù)將在縮小晶體管尺寸和提高其性能方面繼續(xù)發(fā)揮關(guān)鍵作用。![]()
臺積電3nm產(chǎn)能受限，等待更強EUV問世qh428資訊網(wǎng)——每日最新資訊28at.com
由于臺積電3nm制程產(chǎn)線的設(shè)備和產(chǎn)量受限，無法滿足蘋果即將推出的新設(shè)備之所有需求，預(yù)計明年換用ASML更強EUV光刻機可望改善。蘋果傳出已包下臺積電3nm量產(chǎn)初期全部產(chǎn)能，市場盛傳，今年下半年推出的iPhone 15 Pro系列A17處理器，以及新款MacBook的M3處理器都將采用臺積電3nm（N3E）制程量產(chǎn)，但分析師稱，目前臺積電的產(chǎn)能率尚未達(dá)到蘋果新品所需水平。Arete Research 高級分析師Brett Simpson指出，臺積電對蘋果收取的N3硅晶圓定價，將在2024年上半年回歸正常，均價大約會介于16000~17000美元，估計臺積電目前的A17和M3處理器的良率約為55%，這與臺積電所處的發(fā)展階段相符，有望按計劃，每季將良率提高約5個百分點。Simpson 補充道，臺積電在早期階段的重點是優(yōu)化產(chǎn)量和晶圓周期時間以提高效率。Susquehanna International Group 高級分析師Mehdi Hosseini稱，由于需要采用供應(yīng)商ASML的EUV曝光技術(shù)進(jìn)行多重曝光，基于成本考量，研判具更高吞吐量的ASML新款High-NA NXE：3800E下半年上市之前，臺積電3nm制程無法真正放量生產(chǎn)。臺積電目前使用ASML的NXE：3600D光刻機系統(tǒng)，每小時可生產(chǎn)160個晶圓（wph）。ASML 今年底即將推出新款高NA的NXE：3800E光刻機系統(tǒng)，通過降低EUV多重曝光（patterning）的總體成本，NXE：3800E初期能達(dá)30mJ/cm2，約每小時195片晶圓產(chǎn)能，最后能提升到每小時220片晶圓，吞吐量比NXE：3600D提高30%。盡管臺積電最大對手三星電子已號稱為其IC設(shè)計的客戶大幅提升3nm良率，Hosseini認(rèn)為，臺積電仍是先進(jìn)制程晶圓代工的首選。Hosseini 稱，三星尚未展示穩(wěn)定的先進(jìn)制程技術(shù)，而英特爾晶圓代工服務(wù) （IFS） 距離能提供有競爭力的解決方案還差數(shù)年的時間。臺積電預(yù)期2023年的營收可能出現(xiàn)自2009年金融海嘯以來首次下滑，全年營收再度出現(xiàn)負(fù)增長。Simpson 預(yù)估，對于其它代工企業(yè)來說，2023 年的銷售額下降幅度可能比臺積電更大，下半年復(fù)蘇緩慢將是常態(tài)。聲明：本文系原作者創(chuàng)作。文章內(nèi)容系其個人觀點，我方轉(zhuǎn)載僅為分享與討論，不代表我方贊成或認(rèn)同，如有異議，請聯(lián)系后臺。![]()
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