南韓記憶體大廠三星宣布，推出業(yè)界最高容量的 12nm 級(jí) 32Gb DDR5 DRAM。這是繼三星 2023 年 5 月開(kāi)始量產(chǎn) 12nm 級(jí) 16Gb DDR5 DRAM 以后，擴(kuò)大了其 12nm 級(jí) DRAM 產(chǎn)品線，在相同封裝尺寸下提供了翻倍的容量。三星稱(chēng)，此產(chǎn)品的推出舉鞏固了三星在下一代 DRAM 技術(shù)方面的領(lǐng)導(dǎo)地位，也代表著大容量記憶體的新時(shí)代。

三星電子 DRAM 產(chǎn)品與技術(shù)執(zhí)行副總裁 SangJoon Hwan 表示，憑藉 12nm 級(jí) 32Gb DDR5 DRAM，三星獲得了一種新的解決方案，可以建立達(dá)到高達(dá) 1TB 的 DRAM 模組，使三星能夠滿足人工智慧（AI）和大數(shù)據(jù)對(duì)高容量 DRAM 市場(chǎng)日漸成長(zhǎng)的需求。三星也將繼續(xù)透過(guò)差異化制程技術(shù)和設(shè)計(jì)技術(shù)開(kāi)發(fā) DRAM 解決方案，突破記憶體技術(shù)的界限。

三星強(qiáng)調(diào)，在 12nm 級(jí)制程技術(shù)上使用了一種新的 high-κ 材料，有助于提高電池電容。而高電容導(dǎo)致數(shù)據(jù)信號(hào)出現(xiàn)明顯的電勢(shì)差，更便于準(zhǔn)確區(qū)分。至于，在降低工作電壓和減少噪音方面的努力，也有助于三星提供客戶需要的解決方案。

事實(shí)上，之前三星的 12nm 級(jí) 32Gb DDR5 DRAM 還需要使用 TSV（Through Silicon Via）制程技術(shù)，而這次 12nm 級(jí) 32Gb DDR5 DRAM 可以在不使用 TSV 技術(shù)的情況下生產(chǎn)，兩者同為 128GB 模組下，后者的功耗降低了約 10%，使其成為資料中心等注重能效的企業(yè)的最佳解決方案。三星進(jìn)一步指出，12nm 級(jí)的 32Gb DDR5 DRAM 將會(huì)在 2023 年年底開(kāi)始量產(chǎn)。