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近日，一個200億級別的SiC IDM項目成功簽約落戶湖北武漢，或?qū)⒊蔀閲鴥?nèi)最大的SiC功率半導(dǎo)體制造基地。
實際上，今年以來，湖北還有4個在建的SiC項目，涉及環(huán)節(jié)包括襯底、器件、模塊等。
長飛先進(jìn)、東湖高新區(qū)簽約
打造超200億元SiC基地項目
8月25日，長飛先進(jìn)一行與武漢東湖高新區(qū)舉行了半導(dǎo)體合作項目簽約儀式，就第三代半導(dǎo)體功率器件研發(fā)生產(chǎn)基地項目達(dá)成合作。
簽約現(xiàn)場
據(jù)介紹，雙方已簽署了第三代半導(dǎo)體功率器件研發(fā)生產(chǎn)基地項目合作協(xié)議。該項目總投資預(yù)計超過200億元，其中項目一期總投資約100億元，項目建設(shè)內(nèi)容包括第三代半導(dǎo)體外延、晶圓制造、封測等產(chǎn)線，建設(shè)完畢后將形成年產(chǎn)36萬片6英寸碳化硅晶圓及外延、年產(chǎn)6100萬個功率器件模塊的能力。
據(jù)“行家說三代半”此前報道，該項目于今年5月宣布啟動；今年6月，長飛先進(jìn)宣布擬投資人民幣60億元建設(shè)第三代半導(dǎo)體功率器件生產(chǎn)項目，資金來源包括約36億元的股權(quán)融資及約24億元的銀行貸款。
該項目預(yù)計2025年建設(shè)完成，屆時將成為國內(nèi)最大的SiC功率半導(dǎo)體制造基地。
此外，該項目還將建設(shè)第三代半導(dǎo)體科技創(chuàng)新中心，用于跟進(jìn)第三代半導(dǎo)體國際前沿技術(shù)并開發(fā)第三代半導(dǎo)體器件先進(jìn)工藝。
長飛先進(jìn)武漢基地鳥瞰圖
目前，長飛先進(jìn)已成功實現(xiàn)由“Foundry”到“IDM+Foundry”的業(yè)務(wù)轉(zhuǎn)型，打造了完整的650V-3300V SiC產(chǎn)品矩陣；長飛光纖持有長飛先進(jìn)22.9008%的股權(quán)，長飛先進(jìn)不再納入上市公司合并報表范圍，為長飛光纖的合營公司。
●吉盛微半導(dǎo)體SiC項目
5月6日，湖北武漢經(jīng)開綜合保稅區(qū)及港口物流園新簽約了四個重大項目，其中包含一個碳化硅項目——吉盛微半導(dǎo)體SiC項目。
據(jù)悉，該項目總投資20億元，主要從事碳化硅材料研發(fā)及生產(chǎn)制造，目前已完成公司注冊、項目備案等手續(xù)，正在進(jìn)行廠房裝修招標(biāo)，預(yù)計在7月投產(chǎn)。
●智新半導(dǎo)體二期項目
5月18日，湖北武漢市二季度22個重大項目集中開工，其中包括智新半導(dǎo)體二期項目。該項目將新建一條車規(guī)級IGBT模塊生產(chǎn)線，實現(xiàn)新增年產(chǎn)30萬件汽車模塊生產(chǎn)能力。更重要的是，智新已購置相關(guān)工藝設(shè)備，具備SiC模塊研發(fā)及生產(chǎn)能力，滿足新能源汽車、新能源裝備、工業(yè)變頻等高端應(yīng)用領(lǐng)域?qū)GBT、SiC產(chǎn)品的需求。
●九峰山6吋中試線通線
8月1日，九峰山實驗室6吋SiC中試線全面通線，實現(xiàn)了首批溝槽型SiC MOSFET器件晶圓下線。
九峰山實驗室于2021年由湖北省人民政府正式批復(fù)組建，是9大湖北實驗室之一，已建成9000平方米潔凈室以及化合物半導(dǎo)體工藝、檢測、材料平臺，4/6/8 inch工藝平臺全兼容。他們已經(jīng)形成了碳化硅溝槽器件制備的自主IP成套工藝技術(shù)能力，在4個月內(nèi)連續(xù)攻克碳化硅（SiC）器件刻蝕均一性差、注入后翹曲度高、柵極底部微溝槽等十余項關(guān)鍵工藝問題。
注：本文來源地方政府及企業(yè)官網(wǎng)，僅供信息參考，不代表“行家說三代半”觀點。
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