英諾賽科宣布推出兩款 100V 新品氮化鎵功率器件,旨在提高電源功率轉換效率,降低系統損耗與成本。產品可應用于太陽能光伏逆變、光伏優化器、高頻DC-DC轉換器及電機驅動等場景。
英諾賽科
此前,英諾賽科已相繼發布了 INN100W032A、INN100W027A、INN100W070A 等采用 WLCSP 封裝的 100V 產品,并獲得市場良好反饋。基于終端應用多樣化,英諾賽科再次推出 INN100FQ016A 和 INN100FQ025A,采用 FCQFN 小體積封裝,延續了低導阻、低柵極電荷、低開關損耗和極低的反向恢復電荷等特性,具有良好的效率表現。
值得注意的是,INN100FQ016A 與英諾賽科150V系列產品 INN150FQ032A 和 INN150FQ070A 采用兼容引腳設計,客戶可以根據不同的應用需求進行規格選型。
目前,INN100FQ016A 和 INN100FQ025A 兩款產品均已成功量產。
根據TrendForce集邦咨詢《2023 GaN功率半導體市場分析報告 – Part1》顯示,全球GaN功率元件市場規模將從2022年的1.8億美金成長到2026年的13.3億美金,復合增長率高達65%。
TrendForce集邦咨詢
(文:化合物半導體市場 Amber整理)
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