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中國角逐韓國,DRAM與NAND技術差距縮小

來源: 責編: 時間:2023-12-12 17:02:15 302觀看
導讀在全球科技競爭的大舞臺上,中國科技巨頭正迅速迎頭趕上韓國的龍頭企業。據最新消息,《商業韓國》報道,中國在DRAM與NAND快閃記憶體領域的技術差距已經縮小至4年和2年,令人矚目。華為在今年8月推出的搭載7納米晶片的5G智能

在全球科技競爭的大舞臺上,中國科技巨頭正迅速迎頭趕上韓國的龍頭企業。據最新消息,《商業韓國》報道,中國在DRAM與NAND快閃記憶體領域的技術差距已經縮小至4年和2年,令人矚目。xZt28資訊網——每日最新資訊28at.com


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華為在今年8月推出的搭載7納米晶片的5G智能手機引起了全球關注。這一舉措不僅引發了美國對中國限制加強的呼聲,更凸顯了美中科技競爭的全球影響。然而,這場競爭也逐漸演變成了韓國與中國之間的科技競賽。xZt28資訊網——每日最新資訊28at.com


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在NAND快閃記憶體領域,中國長江存儲正在迅速追趕三星電子與SK海力士。盡管在DRAM市場的差距仍然存在,但中國長鑫存儲上月底宣布新產品開發,顯示出中國在半導體領域的迅猛發展勢頭。xZt28資訊網——每日最新資訊28at.com


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另一方面,在顯示器領域,京東方計劃投資有機發光二極體(OLED)新產線,投資規模更是達到三星顯示器的3倍。而在晶圓代工領域,中芯國際以7納米應用處理器(AP)令全球矚目,成為令人吃驚的競爭對手。xZt28資訊網——每日最新資訊28at.com


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長鑫制造的中國首款行動低功耗LPDDR5 DRAM已正式投產,為中國在進口記憶體上的自給自足邁出了重要一步。技術上的差距逐漸縮小,中國的DRAM制造商長鑫正逐漸接近甚至超越了韓國三星電子。xZt28資訊網——每日最新資訊28at.com


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在NAND快閃記憶體市場,長江存儲的市占率逐年攀升,從2020年的1%增至今的4.6%。長江存儲成功研發量產232層3D NAND閃存,緊追SK海力士和三星電子。在美國對先進半導體設備封鎖的情況下,中國大基金等已向長江存儲投資70億美元,突顯其在中國半導體供應鏈中的重要地位。xZt28資訊網——每日最新資訊28at.com


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