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在2023 IEEE國際電子器件會議（IEDM 2023）上，英特爾公司展示了一系列引人注目的技術突破，為未來制程路線圖提供了豐富的創新技術儲備。英特爾的研究人員成功展示了結合背面供電和直接背面觸點的3D堆疊CMOS晶體管，這項技術在同一塊300毫米晶圓上實現了硅晶體管與氮化鎵（GaN）晶體管的大規模單片3D集成。
英特爾公司高級副總裁兼組件研究總經理Sanjay Natarajan表示：“在IEDM 2023上，英特爾展示了繼續推進摩爾定律的研究進展，為下一代移動計算需求提供了前沿技術，彰顯了我們在技術創新方面的領先地位。”
晶體管微縮和背面供電是滿足世界對更強大算力需求的關鍵。英特爾一直致力于滿足算力需求，通過不斷創新推動半導體行業發展，保持摩爾定律的“基石”。英特爾組件研究團隊在技術領域的不斷拓展包括晶體管堆疊、背面供電技術提升以及不同材料晶體管的同一晶圓集成。
近期在制程技術路線圖上的多項進展顯示英特爾正在通過技術創新不斷微縮晶體管。PowerVia背面供電技術、用于先進封裝的玻璃基板和Foveros Direct等創新技術都源自英特爾組件研究團隊，預計將在2030年前投產。
在IEDM 2023上，英特爾組件研究團隊展示了其在技術創新方面的持續投入，通過高效堆疊晶體管實現性能提升。結合背面供電和背面觸點的技術將推動晶體管架構技術的重大進步。英特爾正致力于在2030年前實現在單個封裝內集成一萬億個晶體管。
英特爾在IEDM 2023上展示了業界領先的3D堆疊CMOS晶體管，結合了背面供電和背面觸點技術。這項最新晶體管研究成果在垂直堆疊互補場效應晶體管（CFET）方面取得了突破，具備微縮至60納米柵極間距的能力。這一技術領域的領先地位顯示了英特爾在全環繞柵極（GAA）晶體管領域的創新能力。
超越“四年五個制程節點”計劃，英特爾確定了所需的關鍵研發領域，PowerVia將于2024年生產準備就緒，進一步拓展背面供電技術的路徑。英特爾成功在同一塊300毫米晶圓上集成硅晶體管和氮化鎵晶體管，展示了其在硅基氮化鎵（GaN-on-silicon）晶圓領域的卓越表現。
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