K60 Pro官方停產(chǎn) 第三方瞬間漲價(jià)
雖然沒(méi)有官方宣布，但Redmi的一些高管也已經(jīng)透露了，Redmi K60 Pro已經(jīng)停產(chǎn)且不會(huì)補(bǔ)貨，這一切都是為了即將到來(lái)的K60 Ultra鋪路，屬于廠家的正常操作。但有意思的是該機(jī)在停產(chǎn)之后
在2023 IEEE國(guó)際電子器件會(huì)議（IEDM 2023）上，英特爾公司展示了一系列引人注目的技術(shù)突破，為未來(lái)制程路線圖提供了豐富的創(chuàng)新技術(shù)儲(chǔ)備。英特爾的研究人員成功展示了結(jié)合背面供電和直接背面觸點(diǎn)的3D堆疊CMOS晶體管，這項(xiàng)技術(shù)在同一塊300毫米晶圓上實(shí)現(xiàn)了硅晶體管與氮化鎵（GaN）晶體管的大規(guī)模單片3D集成。
英特爾公司高級(jí)副總裁兼組件研究總經(jīng)理Sanjay Natarajan表示：“在IEDM 2023上，英特爾展示了繼續(xù)推進(jìn)摩爾定律的研究進(jìn)展，為下一代移動(dòng)計(jì)算需求提供了前沿技術(shù)，彰顯了我們?cè)诩夹g(shù)創(chuàng)新方面的領(lǐng)先地位。”
晶體管微縮和背面供電是滿足世界對(duì)更強(qiáng)大算力需求的關(guān)鍵。英特爾一直致力于滿足算力需求，通過(guò)不斷創(chuàng)新推動(dòng)半導(dǎo)體行業(yè)發(fā)展，保持摩爾定律的“基石”。英特爾組件研究團(tuán)隊(duì)在技術(shù)領(lǐng)域的不斷拓展包括晶體管堆疊、背面供電技術(shù)提升以及不同材料晶體管的同一晶圓集成。
近期在制程技術(shù)路線圖上的多項(xiàng)進(jìn)展顯示英特爾正在通過(guò)技術(shù)創(chuàng)新不斷微縮晶體管。PowerVia背面供電技術(shù)、用于先進(jìn)封裝的玻璃基板和Foveros Direct等創(chuàng)新技術(shù)都源自英特爾組件研究團(tuán)隊(duì)，預(yù)計(jì)將在2030年前投產(chǎn)。
在IEDM 2023上，英特爾組件研究團(tuán)隊(duì)展示了其在技術(shù)創(chuàng)新方面的持續(xù)投入，通過(guò)高效堆疊晶體管實(shí)現(xiàn)性能提升。結(jié)合背面供電和背面觸點(diǎn)的技術(shù)將推動(dòng)晶體管架構(gòu)技術(shù)的重大進(jìn)步。英特爾正致力于在2030年前實(shí)現(xiàn)在單個(gè)封裝內(nèi)集成一萬(wàn)億個(gè)晶體管。
英特爾在IEDM 2023上展示了業(yè)界領(lǐng)先的3D堆疊CMOS晶體管，結(jié)合了背面供電和背面觸點(diǎn)技術(shù)。這項(xiàng)最新晶體管研究成果在垂直堆疊互補(bǔ)場(chǎng)效應(yīng)晶體管（CFET）方面取得了突破，具備微縮至60納米柵極間距的能力。這一技術(shù)領(lǐng)域的領(lǐng)先地位顯示了英特爾在全環(huán)繞柵極（GAA）晶體管領(lǐng)域的創(chuàng)新能力。
超越“四年五個(gè)制程節(jié)點(diǎn)”計(jì)劃，英特爾確定了所需的關(guān)鍵研發(fā)領(lǐng)域，PowerVia將于2024年生產(chǎn)準(zhǔn)備就緒，進(jìn)一步拓展背面供電技術(shù)的路徑。英特爾成功在同一塊300毫米晶圓上集成硅晶體管和氮化鎵晶體管，展示了其在硅基氮化鎵（GaN-on-silicon）晶圓領(lǐng)域的卓越表現(xiàn)。
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