三星、SK海力士計劃在2024年進行設備投資,以提升HBM等產品的生產能力。他們將采取“既有設備再利用及改良戰略”,延長既有設備的使用時間,同時節省設備投資費用。
據報道,三星和SK海力士正在考慮多種設備投資方案,以實現“減少先進制程轉換費用”的目標。雖然這兩家公司正在轉換DRAM和NAND的制程,需要更換一些設備零件并改善軟件,但他們計劃通過再利用和改良既有設備來節省投資成本。
此外,三星還計劃在晶圓代工事業中采取相似的策略。因為一些設備在DRAM、系統半導體和晶圓代工等制程中折舊完畢后,可以轉至NAND制程再利用。
據相關人士透露,這種既有設備再利用及改良的方式并不是新的策略,而是為了提高設備投資效率而做出的選擇。
目前,三星和SK海力士決定維持既有DRAM和NAND主力產品的減產策略,但同時將提升高帶寬存儲器(HBM)等產品的設備投資。他們將優先考慮HBM產能所需的矽穿孔(TSV)設備投資。HBM是以垂直方式連結數顆DRAM,較既有DRAM大幅提升數據處理速度,近期因人工智能(AI)熱潮興起,致使HBM需求暴漲,存儲器業者也積極發展HBM事業。在此背景下,外界預期三星和SK海力士的大部分新設備投資將投注到HBM產能。
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