小米平板5 Pro 12.4簡評：多專多能 兼顧影音娛樂的大屏利器
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美國科技巨頭英特爾正緊鑼密鼓地推進其最新的半導體技術(shù)——「Intel 20A」，其中的「20A」中的A代表「埃米（angstrom）」，即表示1納米的10分之1的長度單位，所以20A即指2納米。這一舉措旨在引領(lǐng)半導體領(lǐng)域的創(chuàng)新，與臺積電（TSMC）和三星電子展開的競爭中扭轉(zhuǎn)英特爾的劣勢。
目前，半導體尖端技術(shù)的衡量指標通常使用納米單位，具體來說是半導體電路的線寬。電路線寬越細，半導體的處理能力和數(shù)據(jù)存儲容量就越高，同時能夠抑制電力消耗，助力半導體晶片的小型化。半導體制造商一直在不懈推動電路的微細化，以追求更高性能的芯片。
回溯到大規(guī)模集成電路（LSI）的歷史，英特爾在1971年推出的「Intel 4004」成為技術(shù)進步的起點。當時的線寬約為10微米左右，相當于1萬納米。從那時起，按照半導體晶片單位面積性能每約兩年翻一番的「摩爾定律」，不斷實現(xiàn)了微細化。
然而，如今半導體行業(yè)的最尖端技術(shù)是臺積電和三星即將量產(chǎn)的3納米半導體，而英特爾的最新技術(shù)仍然停留在7納米。在2010年代后半期，英特爾在生產(chǎn)技術(shù)的發(fā)展上逐漸滯后，被競爭對手迅速甩在身后。
盡管英特爾宣布了「埃米時代的到來」，但并沒有明確表示「20A」指的是電路線寬。實際上，5納米、3納米等技術(shù)參數(shù)與電路線寬的實際尺寸在約5年前就開始出現(xiàn)偏離。至今，關(guān)于應該在半導體電路的哪個位置進行測量的國際標準仍然沒有確立，而臺積電和三星即將量產(chǎn)的3納米技術(shù)也只是「企業(yè)方面的說辭」，這是半導體設(shè)計公司高管的說法。
因此，雖然英特爾宣稱「埃米時代」的來臨，但并沒有明確指出這是一種長度單位。這更像是一種市場營銷口號，旨在突顯公司的先進形象。
那么，目前的線寬究竟指的是什么呢？通常是將單位面積的半導體元件數(shù)與過去的自身產(chǎn)品進行比較，從而計算元件增加了多少。盡管這種比較方法簡單易懂，但不能單純依賴這個數(shù)值來評估性能。更重要的是關(guān)注實際的數(shù)據(jù)處理能力、數(shù)據(jù)存儲容量、省電性能、訂單量等多方面因素。這樣的全面觀察將更有助于了解半導體技術(shù)的實際創(chuàng)新水平。
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