一篇聊聊Go錯誤封裝機制
%w 是用于錯誤包裝（Error Wrapping）的格式化動詞。它是用于 fmt.Errorf 和 fmt.Sprintf 函數中的一個特殊格式化動詞，用于將一個錯誤（或其他可打印的值）包裝在一個新的錯誤中。使
美國科技巨頭英特爾正緊鑼密鼓地推進其最新的半導體技術——「Intel 20A」，其中的「20A」中的A代表「埃米（angstrom）」，即表示1納米的10分之1的長度單位，所以20A即指2納米。這一舉措旨在引領半導體領域的創新，與臺積電（TSMC）和三星電子展開的競爭中扭轉英特爾的劣勢。
目前，半導體尖端技術的衡量指標通常使用納米單位，具體來說是半導體電路的線寬。電路線寬越細，半導體的處理能力和數據存儲容量就越高，同時能夠抑制電力消耗，助力半導體晶片的小型化。半導體制造商一直在不懈推動電路的微細化，以追求更高性能的芯片。
回溯到大規模集成電路（LSI）的歷史，英特爾在1971年推出的「Intel 4004」成為技術進步的起點。當時的線寬約為10微米左右，相當于1萬納米。從那時起，按照半導體晶片單位面積性能每約兩年翻一番的「摩爾定律」，不斷實現了微細化。
然而，如今半導體行業的最尖端技術是臺積電和三星即將量產的3納米半導體，而英特爾的最新技術仍然停留在7納米。在2010年代后半期，英特爾在生產技術的發展上逐漸滯后，被競爭對手迅速甩在身后。
盡管英特爾宣布了「埃米時代的到來」，但并沒有明確表示「20A」指的是電路線寬。實際上，5納米、3納米等技術參數與電路線寬的實際尺寸在約5年前就開始出現偏離。至今，關于應該在半導體電路的哪個位置進行測量的國際標準仍然沒有確立，而臺積電和三星即將量產的3納米技術也只是「企業方面的說辭」，這是半導體設計公司高管的說法。
因此，雖然英特爾宣稱「埃米時代」的來臨，但并沒有明確指出這是一種長度單位。這更像是一種市場營銷口號，旨在突顯公司的先進形象。
那么，目前的線寬究竟指的是什么呢？通常是將單位面積的半導體元件數與過去的自身產品進行比較，從而計算元件增加了多少。盡管這種比較方法簡單易懂，但不能單純依賴這個數值來評估性能。更重要的是關注實際的數據處理能力、數據存儲容量、省電性能、訂單量等多方面因素。這樣的全面觀察將更有助于了解半導體技術的實際創新水平。
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