7月安卓手機性能榜：紅魔8S Pro再奪榜首
7月份的手機市場風平浪靜，除了紅魔和努比亞帶來了兩款搭載驍龍8Gen2領先版處理器的新機之外，別的也想不到有什么新品了，這也正常，通常6月7月都是手機廠商修整的時間，進入8月份之
Transphorm，氮化鎵（GaN）功率半導體的領先供應商，近日宣布推出業內首款采用頂部散熱的TOLT氮化鎵晶體管。這款新品TP65H070G4RS，是Transphorm的SuperGaN? FET系列中的一員，導通電阻僅為72毫歐。它采用了JEDEC標準的TOLT封裝，是首個此類封裝的頂部散熱型表面貼裝氮化鎵器件。
TP65H070G4RS利用了Transphorm強大的650 V常閉型d-mode氮化鎵平臺，這一平臺在效率上優于硅、碳化硅和其他氮化鎵產品。SuperGaN平臺的優勢與TOLT封裝更好的散熱性及系統組裝靈活性相結合，為電源系統客戶提供了高性能、高可靠性的GaN解決方案。
Transphorm正與全球多個高功率GaN合作伙伴展開合作，包括服務器和存儲電源領域的領先客戶。新品的發布進一步豐富了Transphorm的產品線，彰顯了其以不同封裝形式器件支持客戶應用的市場承諾。
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