中國汽車芯片產業創新戰略聯盟功率半導體分會在長沙成立,為推動汽車功率芯片的本土化邁出關鍵一步。在成立大會兼汽車功率芯片發展研討會上,與會者了解到,汽車結構性芯片短缺為國產芯片創造了發展機遇,而提高性價比成為國產功率芯片、尤其是碳化硅功率半導體發展的關鍵。
專家指出,在電動車中,若前后驅都采用功率半導體,這類半導體約占電機控制器成本的50%。
業內人士認為,功率半導體包括IGBT、碳化硅(SiC)功率半導體。共識是,20萬元以下電動車使用IGBT,而20萬元以上的車型則采用碳化硅功率半導體。碳化硅功率半導體具有小損耗、高耐壓、高耐溫等優勢,被認為是未來功率半導體的發展趨勢之一。
目前汽車行業仍面臨結構性芯片短缺,電源、控制、通信、計算、功率等領域的芯片都處于緊缺狀態。碳化硅芯片項目建設需18-24個月,因此,投資在去年的多個碳化硅項目要到2025年才能釋放產能,預計到2025年,碳化硅功率半導體的短缺狀況才會有所緩解。
為解決芯片短缺風險,國產化成為一種解決方案。目前,國內的碳化硅供應商尚未大規模提供車規產品。由于碳化硅器件的制作工藝要求高,成本較硅基器件高數倍,因此目前生產工藝尚不夠成熟,良率不高,成本較高,但未來有望降低。
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