K60至尊版剛預熱 一加Ace2 Pro正面硬剛
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Transphorm宣布，公司成功推出了三款采用創(chuàng)新TOLL封裝的SuperGaN FET，導通電阻分別為35、50和72毫歐。這一全新的封裝配置采用了產(chǎn)業(yè)標準，使得TOLL封裝的SuperGaN功率管能夠直接替代任何使用傳統(tǒng)e-mode TOLL方案的器件。
這三款表面貼裝型器件（SMD）的目標應(yīng)用是平均運行功率范圍為1,000~3,000瓦的高功率應(yīng)用，這類電力系統(tǒng)廣泛應(yīng)用于各種高效能領(lǐng)域，包括計算（人工智能、服務(wù)器、電信、數(shù)據(jù)中心）、能源和工業(yè)（光伏逆變器、伺服電機）以及其他廣泛的工業(yè)市場。目前，氮化鎵在這一市場領(lǐng)域的全球潛在市場規(guī)模達25億美元。更重要的是，這款新型功率器件已成為快速發(fā)展的人工智能（AI）系統(tǒng)的理想解決方案，因為AI系統(tǒng)依賴于GPU，而GPU的功耗是傳統(tǒng)CPU的10~15倍。
為了滿足這一市場需求，Transphorm憑借其領(lǐng)先的技術(shù)實力和豐富的行業(yè)經(jīng)驗，成功開發(fā)出了這三款新型TOLL封裝SuperGaN FET。它們不僅具有高導通電阻，還具備了Transphorm經(jīng)驗證的高壓動態(tài)（開關(guān)）導通電阻可靠性，這是市場上許多主流代工氮化鎵所無法比擬的優(yōu)勢。
現(xiàn)在，各類高效能領(lǐng)域的知名客戶開始采用Transphorm的高功率氮化鎵器件，高效能系統(tǒng)，支持數(shù)據(jù)中心電源、高功率電競PSU、UPS和微型逆變器等應(yīng)用領(lǐng)域。新型TOLL封裝器件可用于電動汽車的DC-DC轉(zhuǎn)換器和車載充電器，核心SuperGaN芯片已通過汽車產(chǎn)業(yè)標準認證。
Transphorm的這一創(chuàng)新舉措不僅進一步鞏固了其在高功率氮化鎵市場的領(lǐng)先地位，也再次證明了其在推動氮化鎵技術(shù)發(fā)展和應(yīng)用方面的決心和能力。隨著人工智能和高效能計算需求的不斷增長，Transphorm的新型TOLL封裝SuperGaN FET將在未來發(fā)揮越來越重要的作用，為各類高效能領(lǐng)域提供更高效、更可靠的電力解決方案。
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