Redmi Pad評測：紅米充滿野心的一次嘗試
從Note系列到K系列，從藍牙耳機到筆記本電腦，紅米不知不覺之間也已經形成了自己頗有競爭力的產品體系，在中端和次旗艦市場上甚至要比小米新機的表現來得更好，正所謂“大丈夫生居
Transphorm宣布，公司成功推出了三款采用創新TOLL封裝的SuperGaN FET，導通電阻分別為35、50和72毫歐。這一全新的封裝配置采用了產業標準，使得TOLL封裝的SuperGaN功率管能夠直接替代任何使用傳統e-mode TOLL方案的器件。
這三款表面貼裝型器件（SMD）的目標應用是平均運行功率范圍為1,000~3,000瓦的高功率應用，這類電力系統廣泛應用于各種高效能領域，包括計算（人工智能、服務器、電信、數據中心）、能源和工業（光伏逆變器、伺服電機）以及其他廣泛的工業市場。目前，氮化鎵在這一市場領域的全球潛在市場規模達25億美元。更重要的是，這款新型功率器件已成為快速發展的人工智能（AI）系統的理想解決方案，因為AI系統依賴于GPU，而GPU的功耗是傳統CPU的10~15倍。
為了滿足這一市場需求，Transphorm憑借其領先的技術實力和豐富的行業經驗，成功開發出了這三款新型TOLL封裝SuperGaN FET。它們不僅具有高導通電阻，還具備了Transphorm經驗證的高壓動態（開關）導通電阻可靠性，這是市場上許多主流代工氮化鎵所無法比擬的優勢。
現在，各類高效能領域的知名客戶開始采用Transphorm的高功率氮化鎵器件，高效能系統，支持數據中心電源、高功率電競PSU、UPS和微型逆變器等應用領域。新型TOLL封裝器件可用于電動汽車的DC-DC轉換器和車載充電器，核心SuperGaN芯片已通過汽車產業標準認證。
Transphorm的這一創新舉措不僅進一步鞏固了其在高功率氮化鎵市場的領先地位，也再次證明了其在推動氮化鎵技術發展和應用方面的決心和能力。隨著人工智能和高效能計算需求的不斷增長，Transphorm的新型TOLL封裝SuperGaN FET將在未來發揮越來越重要的作用，為各類高效能領域提供更高效、更可靠的電力解決方案。
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