ictimes消息,SemiQ推出了一系列采用SOT-227封裝的1,200V MOSFET,用戶可以根據(jù)需要選擇是否搭配使用1,200V SiC肖特基二極管,這也拓寬了QSiC SiC模塊的選擇范圍。
SemiQ的這款新模塊建立在堅固的高性能陶瓷基礎(chǔ)上,經(jīng)過精心設(shè)計,能在各種嚴苛環(huán)境下穩(wěn)定運行,展現(xiàn)出卓越的性能。其改進的功能使得設(shè)計配置更為簡化,功率密度得到顯著提升。模塊的高擊穿電壓(> 1,400 V)、高溫工作(TJ= 175°C)以及在全溫范圍內(nèi)低Rds(On)等特性,使其在市場上獨樹一幟。此外,這些模塊還具備最長的柵極氧化層壽命和穩(wěn)定性、抗雪崩(UIS)以及更長的短路耐受時間,為用戶提供了更多保障。
對于這些潛在的應(yīng)用市場,SemiQ 的 QSiC 模塊具有無可比擬的優(yōu)勢。無論是電動汽車充電系統(tǒng),還是數(shù)據(jù)中心電源,甚至是 UPS/PFC 電路,QSiC 模塊都能提供卓越的性能和可靠性。
為了滿足這些不同應(yīng)用的需求,SemiQ 提供了多種規(guī)格的 QSiC 模塊,包括不同的柵極閾值電壓和不同的 SiC MOSFET 尺寸。其中,新型的 1,200V SOT-227 模塊提供了三種不同規(guī)格的 SiC MOSFET 尺寸,包括 20 mΩ、40 mΩ 和 80 mΩ。這種模塊的特點是具有出色的性能和可靠性,非常適合于需要高電壓和大電流的應(yīng)用場景。
SOT-227 的封裝形式也為模塊的集成和部署提供了便利。由于其小型化和易安裝的特點,SOT-227 模塊非常適合需要高度集成和緊湊設(shè)計的現(xiàn)代電源系統(tǒng)。此外,SOT-227 的封裝形式也使得模塊的散熱性能得到了優(yōu)化,從而提高了系統(tǒng)的整體效率。
值得一提的是,SemiQ 對 QSiC 模塊的質(zhì)量控制非常嚴格。從晶圓級別的老化測試到各種應(yīng)力測試,SemiQ 都力求確保每個模塊都達到最高質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)。這種對質(zhì)量的追求,使得 SemiQ 的 QSiC 模塊在市場上具有很高的競爭力。
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