韓國電子巨頭三星電子宣布打破長期以來由sk海力士壟斷向英偉達(dá)供應(yīng)HBM3的格局,計劃從明年1月開始為英偉達(dá)提供HBM3。
分析預(yù)測,今年以來表現(xiàn)不佳的三星電子半導(dǎo)體業(yè)績將在明年迎來迅速的復(fù)蘇,部分人認(rèn)為,三星電子明年下半年在HBM市場的份額將超過sk海力士。
據(jù)了解,三星電子已經(jīng)成功向美國AMD提供了HBM3存儲器,但由于AMD在市場上的份額相對有限,供應(yīng)也相應(yīng)受到限制。
隨著三星電子計劃從明年初開始擴(kuò)大對HBM的供應(yīng),業(yè)內(nèi)普遍預(yù)期三星半導(dǎo)體業(yè)績將迎來急劇上升。
美林證券研究員Kim Seon-woo表示,三星電子第二季度DRAM銷售額有望超過10萬億韓元。而當(dāng)前第三季度約為554億元人民幣的銷售額有望超過13萬億元人民幣,年度DRAM銷售額預(yù)計將超過2021年的水平。
三星電子在HBM3市場的擴(kuò)大供應(yīng)將為其半導(dǎo)體業(yè)務(wù)帶來巨大的商機(jī)。隨著對DRAM需求的增長,三星電子有望在HBM市場上贏得更大份額,這對其未來業(yè)績的提升具有積極的影響。
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