K60至尊版狂暴引擎2.0加持：超177萬跑分斬獲性能第一
Redmi的后性能時代戰略發布會今天下午如期舉辦，在本次發布會上，Redmi公布了多項關于和聯發科的深度合作，以及新機K60 Ultra在軟件和硬件方面的特性，例如：“K60 至尊版，雙芯旗艦
四款新器件助力提升工業設備的效率和功率密度
東芝電子元件及存儲裝置株式會社今日宣布，推出四款最新650V碳化硅（SiC）MOSFET——“TW031V65C”、“TW054V65C”、“TW092V65C”和“TW123V65C”。這些器件配備其最新的[1]第3代SiC MOSFET技術，并采用緊湊型DFN8×8封裝，適用于開關電源、光伏發電機功率調節器等工業設備。四款器件于今日開始支持批量出貨。
四款新器件是首批采用小型表貼DFN8×8封裝的第3代SiC MOSFET的器件，與TO-247和TO-247-4L(X)等通孔型封裝相比，其體積減小90%以上，并提高了設備的功率密度。表貼封裝還允許使用比通孔型封裝更小的寄生阻抗[2]元件，從而降低開關損耗。DFN8×8是一種4引腳[3]封裝，支持對其柵極驅動的信號源端子進行開爾文連接。這減少了封裝內部源極線電感的影響，實現高速開關性能；以TW054V65C為例，與東芝現有產品相比[5]，其開通損耗降低了約55%，關斷損耗降低約25%[4]，有助于降低設備中的功率損耗。
未來東芝將繼續擴大其SiC功率器件產品線，為提高設備效率和增加功率容量做出貢獻。
測量條件：VDD＝400V、VGS＝18V/0V、ID＝20A、Ta＝25°C、L＝100μH，Rg（外部柵極電阻）＝4.7Ω
續流二極管采用各產品源極和漏極之間的二極管。（截至2025年5月，東芝對比結果）
圖1 TO-247與DFN8×8封裝的導通損耗（Eon）和關斷損耗（Eoff）比較
（除非另有說明，Ta＝25°C）
第3代SiC MOSFET特性
SiC MOSFET常見問題解答
SiC MOSFET與Si IGBT的比較
SiC MOSFET絕對最大額定值和電氣特性
注：
[1] 截至2025年5月。
[2] 電阻、電感等。
[3] 一種信號源引腳靠近FET芯片連接的產品。
[4] 截至2025年5月，東芝測量值。請參考圖1。
[5] 采用TO-247封裝且無開爾文連接的、具有同等電壓和導通電阻的650V東芝第3代SiC MOSFET。
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