據(jù)韓媒ZDNet Korea報(bào)道，三星電子計(jì)劃在韓國(guó)華城園區(qū)新建第六代1c DRAM量產(chǎn)線，預(yù)計(jì)最快于2025年底開始投資。此舉表明三星對(duì)其良率提升充滿信心。
三星此前已在平澤廠推進(jìn)1c DRAM的量產(chǎn)計(jì)劃。據(jù)傳，2025年初，三星將在平澤第四園區(qū)（P4）建立首條1c DRAM量產(chǎn)線，初期月產(chǎn)能約為3萬(wàn)片，規(guī)模較小。隨后，三星計(jì)劃在2025年下半年進(jìn)一步擴(kuò)大P4園區(qū)的1c DRAM產(chǎn)能，預(yù)計(jì)月產(chǎn)能將增至至少4萬(wàn)片。此外，華城17產(chǎn)線也有望在2025年底前啟動(dòng)1c DRAM的轉(zhuǎn)換投資，目前正與相關(guān)協(xié)力廠協(xié)商具體計(jì)劃。
華城17產(chǎn)線目前主要生產(chǎn)第三代10納米級(jí)1z DRAM，但其生產(chǎn)比重正在快速下降。三星此前已在華城15產(chǎn)線和16產(chǎn)線完成了1b DRAM的轉(zhuǎn)換投資。
1c DRAM是三星新一代高帶寬存儲(chǔ)器（HBM）HBM4的核心元件。與競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手SK海力士和美光在HBM4中采用1b DRAM不同，三星計(jì)劃使用1c DRAM以優(yōu)化產(chǎn)品性能。這對(duì)其在HBM市場(chǎng)中爭(zhēng)奪主導(dǎo)權(quán)具有重要意義。
韓國(guó)半導(dǎo)體業(yè)界人士透露，三星內(nèi)部對(duì)1c DRAM的良率提升持積極態(tài)度，目標(biāo)是在2025年第三季度取得PRA（內(nèi)部量產(chǎn)準(zhǔn)備批準(zhǔn)）。盡管后續(xù)仍需解決諸多課題才能實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，但設(shè)備投資計(jì)劃正在穩(wěn)步推進(jìn)中。

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